粉絲團
韓媒示警，中國記憶體大廠長鑫存儲IPO資金計畫重押韓廠留下的「DRAM缺口」。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕中國記憶體晶片廠長鑫存儲今（27日）在上海掛牌，開盤一度暴漲472%，市值短暫攀上約3.3兆元人民幣（約新台幣15.75兆元），成為中國市值最高的境內上市公司。不過，對南韓記憶體產業而言，更值得關注的並非股價暴漲，而是長鑫存儲準備把上市資金投向何處。
韓媒指出，根據長鑫存儲的公開說明書指出，計畫投入295億元人民幣（約新台幣1408億元），其中近7成、約205億元人民幣（約新台幣近979億元），將用於晶圓產線與既有DRAM製程升級，其餘資金則投入前瞻DRAM研發，並未單獨列出高頻寬記憶體（HBM）項目。這項布局，正好切入三星電子與SK海力士留下的市場空缺。
根據研究機構SemiAnalysis指出，這次募資主要強化長鑫的核心DRAM製造與技術基礎，沒有揭露近期擴充HBM產能的明確承諾。
韓媒指出，過去兩年，南韓兩大記憶體廠持續將晶圓產能轉向獲利更高的HBM與大容量伺服器DRAM，但每GB的HBM約需消耗普通DRAM三倍晶圓面積，導致整體DRAM位元供給成長受限。SemiAnalysis預估，供需失衡可能持續到2027年，甚至延伸至2028年。
在新增產能方面，長鑫今年每月預計增加8.5萬片晶圓，高於三星的1.5萬片、SK海力士的6萬片及美光的3萬片。市場今年所需DRAM位元供給可能出現高個位數缺口，2027年缺口更可能擴大至低至中雙位數。
由於市場供應吃緊，這讓長鑫不再需要靠低價搶單，其產能已被預訂至2027年底，包括戴爾、惠普、聯想與蘋果等客戶優先取得供貨，DDR5價格已與三大記憶體廠相當，部分伺服器模組報價甚至高於三星。
據悉，長鑫本月並與字節跳動簽下逾70億美元（約新台幣2263.7億元）、為期五年的伺服器DRAM合約，6月也與騰訊達成約30億美元交易。
不過，長鑫尚未真正追上領先業者。其DDR5單位位元成本仍高出三大廠逾30%，HBM技術也落後約兩代。分析人士認為，長鑫目前只是填補傳統DRAM缺口，真正可能威脅三星與SK海力士的關鍵，仍在於能否量產具競爭力的HBM，並獲得全球客戶認可。
一手掌握經濟脈動 點我訂閱自由財經Youtube頻道
不用抽 不用搶 現在用APP看新聞 保證天天中獎 點我下載APP 按我看活動辦法
