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三星電子V9 NAND快閃記憶體。（擷取自三星電子）
〔財經頻道／綜合報導〕全球NAND Flash競賽正迎來重大轉折。據報導，近日三星電子宣布，已成功開發出全球首個900層V-NAND原型產品，但這次突破並非依靠傳統方式持續往上堆疊，而是透過全新的晶圓接合技術，將兩片450層結構「面對面」結合，打造出等效900層的超高密度儲存架構。
這意味著，記憶體產業過去十多年以「層數競賽」為主軸的發展模式，正逐步邁向全新的多晶圓模組化時代。
報導指出，過去3D NAND技術的演進，就像不斷往上加蓋摩天大樓，層數越高，儲存容量越大，但製程難度也隨之快速增加。當堆疊高度突破數百層後，製造成本、良率控制與結構穩定性都面臨嚴峻挑戰，產業也逐漸逼近物理極限。
對於這項研發成果，三星電子表示，已驗證儲存單元（Cell）的正常運作特性」。這意味著，900層V-NAND不只是停留在理論上的堆疊概念，而是已成功確認實際運作可行性，技術成熟度邁入新的階段。
三星此次採用自主開發的CMB（Cell Multi-Bonding）技術，選擇走另一條路。與其在同一片晶圓上繼續往上堆，不如先分別製造兩片450層晶圓，再利用高精度接合技術將兩者結合，最終形成等效900層的儲存結構。
若以建築物來比喻，過去是把一棟大樓不斷往上蓋，如今則是先蓋好兩棟高樓，再透過空中天橋將兩者連接起來。這種方式不僅降低單一晶圓的製造難度，也讓未來挑戰1000層甚至更高層數時，具備更高的擴充彈性。
《Electronic Times》指出，目前在量產市場上，SK海力士以321層4D NAND保持全球最高層數紀錄。不過，三星電子已在下一世代NAND競賽中搶得有利位置。一方面，三星正準備於今年量產第10代V-NAND（V10，超過400層產品）；另一方面，又在研發階段一次跨越至900層技術里程碑，展現大幅領先的技術布局。
不過，要讓兩片極薄晶圓在奈米尺度下精準對接，並非易事。
三星在研發過程中主要克服2大技術障礙，包括晶圓翹曲問題，當超薄晶圓在高溫高壓環境下接合時，材料熱膨脹差異可能造成微米級變形，進而影響訊號傳輸品質。此外，疊對誤差也是技術障礙，因為即使出現極微小的奈米級偏移，也可能導致數十億個接點無法正常連接。
對此，三星電子導入高精度光學量測與即時校正系統，在接合過程中持續修正位置偏差。雖然原型產品已成功驗證技術可行性，但從實驗室成果走向大規模量產，仍需面對良率與成本的考驗。
報導指出，在AI資料中心需求持續爆發的背景下，三星電子此次的技術突破，也被視為一場提前布局下一世代企業級儲存市場的重要戰略。
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