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記憶體廠華邦電（2344）今召開法說會。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體廠華邦電（2344）今召開法說會，受到設備交機延緩，資本支出從上季的421億元下修到405億元，部分金額延到明年，但不影響今年擴產，總經理陳沛銘指出，對NOR Flash、SLC NAND Flash與DRAM價格同步看漲， 公司目前產能滿載且將持續擴產，預估DRAM供給缺口將延續到2028年以後，第二季價格漲幅會比上季多，SLC NAND快閃記憶體市場缺口也越來越大，更是華邦電今年擴產重頭戲。
陳沛銘表示，目前擴產需求購買設備，交期都較延遲，但華邦電有提早因應，董事會今天甫通過新的資本支出案，金額約73億元，其中有50多億元會用在邊緣AI的客製記憶體CUBE生產設備，與DRAM產能共享，但目前DRAM產能吃緊，但為了2027年可量產，CUBE需預備產能。
此外，華邦電董事會也新通過的高雄廠B模組規劃設計案，初期的設計案約3至4億元；並將增購快閃記憶體測試機台，預估月產能將從去年4萬片，會一路擴增到2027年元月，逐漸增加到5萬片，晶圓產能約有增加20%，位元產出量約增加逾40%，甚至可能逼近50%。陳沛銘指出，SLC NAND快閃記憶體擴增產能是華邦電今年重頭戲，因市場缺口越來越大。
陳沛銘說明，華邦電第一季DRAM營收季增93%，位元出貨量季增約25%，DDR4與LPDDR4是主要成長動能，平均售價季增逾50%；Flash營收季增23%，位元出貨量低十位數成長，平均售價上漲約30%。預估DRAM供給缺口將延續到2028年以後，第二季價格仍持續上漲，且漲幅不會比第一季小，毛利率與獲利能力有望進一步提升。
他指出，華邦電DRAM產能將轉集中高雄廠生產，產能將從今年初1.5萬片提升到明年2.4萬片，位元出貨量約年增80%，8Gb DDR4開始小量銷售並導入客戶試產，往後在交換器、伺服器與企業級SSD等應用將逐步放量，帶動電腦產品線應用成長可期。
陳沛銘表示，華邦電在NOR Flash產品以58奈米製程為主，佔超過一半產量，主要應用於高密度儲存型產品；SLC NAND Flash因大廠退出2D製程，造成市場缺口持續擴大，帶動華邦業務增長，目前NOR與SLC NAND Flash毛利率皆較高，華邦電將積極擴產，預計今年SLC NAND Flash位元出貨數將年增20%，明年進一步年增40%。
對於車用與工業應用面，陳沛銘表示，車用需求自疫情後低迷已久，但近期一線模組廠與全球車廠紛來跟華邦電洽談供貨，顯示「車用需求回來了」，工業應用成長更為明顯；通訊來自交換器需求增加而成長，消費端DDR4出貨增加，尤其在電視（TV）領域占有率有提升。
展望市場，陳沛銘指出，AI需求強勁，四大資料中心與AI伺服器業者今年建置金額可能達7千多億美元，其中，大部分將投入伺服器與交換器設備，帶動NOR Flash、SLC NAND與DRAM需求，但因AI應用吸走大量供給，排擠到非AI如PC、手機等需求，但他認為，需求只是遞延，並沒有消失，未來二到三年仍可能會出現需求回補。
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