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ASML是全球極紫外曝光機（EUV）的獨霸者（見圖），中國稱製造一台EUV原型機，並計劃在2028年開始量產，專家指十年內完成的可能性很低。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕美國主導的出口管制促使中國加快研發自己的極紫外曝光機（EUV）工具，但專家表示，在十年內將早期原型轉化為大規模生產系統的可能性仍然極低。
中國透過對荷蘭供應商ASML的舊設備進行逆向工程，製造出了一台EUV原型機（這項開發被稱中國版的「曼哈頓計畫」），並計劃在2028年開始量產。雖然實驗室級別的演示是可行的，但業內人士表示，要實現商業規模的生產製造則複雜得多。
漢陽大學EUV專家安鎮浩（音譯，Ahn Jin-ho）最近獲得了國家工程院的獎項，但他對中國能否在2028年的目標期限內交付大規模生產的EUV系統持高度懷疑態度。他說：「像尼康和佳能這樣長期主導曝光技術的行業巨頭，始終未能攻克極紫外曝光技術。這項技術不是靠蠻力就能掌握的」。
他補充說，即使對於EUV系統的唯一供應商ASML來說，開發也耗時數十年，並且依賴緊密協調的生態系統，包括卡爾蔡司的精密光學元件和專用光源技術。
光學系統仍然是最大的困難之一，其設計和製造都需要極高的精度。同樣至關重要的是整個生態系統的整合，包括光罩、薄膜和光阻，所有這些都必須與該設備無縫協作。
漢陽大學材料科學教授安鎮浩（音譯，Ahn Jin-ho）表示，「對中國而言，自主研發的EUV系統進行一次性演示是可能的，但在未來十年內開發出能夠大規模生產的系統則不太可能。」
由於無法獲得尖端的EUV技術，中國一直依賴深紫外曝光（DUV）工具，重複圖案化步驟以更高的成本和更低的效率獲得類似的晶圓製造。但DUV技術對中國的發展只能到此為止。隨著三星和台積電大力推進2奈米晶片的研發，北京方面已啟動一項由國家支持的EUV技術項目，據報導，該項目正在招募前ASML工程師並加大投資力度。
南韓半導體產業協會執行董事安基鉉（音譯，Ahn Ki-hyun）表示：在7奈米以下的製程，EUV技術幾乎是不可或缺的。如果中國成功實現EUV技術的國產化，可能會重塑晶片行業的格局，但這不會一蹴可成。
中國利用較舊的曝光工具和ArF浸沒式工藝，透過重複圖案化步驟，實現晶片製造的進步，並聲稱其製程能力接近3奈米，儘管目前尖端製造的大多數生產仍然停留在7奈米左右。但這種變通方法並非沒有代價。隨著多重曝光製程推高生產成本，長鑫儲存技術、長江儲存和中芯國際等公司面臨越來越大的財務壓力。一位業內人士表示：在製造業，一切都關乎成本和利潤。如果需要多次曝光才能達到EUV一次曝光的效果，那麼經濟效益就根本無法實現。
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