粉絲團
世界先進今（28）日宣布已與台積電簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）製程技術的授權協議。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕世界先進（5347）今（28）日宣布已與台積電（2330）簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）製程技術的授權協議。此授權協議將協助世界先進加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件，應用於資料中心、車用電子、工業控制與
能源管理等高效率電能轉換領域，進一步強化世界先進在高效率電能轉換領域的技術布局。相關開發作業於2026年初啟動，並於2028年上半年量產。
世界先進指出，透過此次授權，公司將擴展其矽基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）製程至高壓應用領域，並提供完整的GaN-on-Si平台，結合原有的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）製程平台，成為全球唯一能同時提供矽基底功率及新基底功率，兩種不同基板氮化鎵製程的晶圓製造服務公司，可支援自低壓（小於200V）、高壓（650V）乃至超高壓（1200V）的完整產品解決方案。
隨著傳統矽基製程逐漸達其效能極限，氮化鎵以其高效率、高功率密度與小型化特性，已成為新一代電源技術的關鍵材料。世界先進正積極建構涵蓋自15V至1200V的氮化鎵製程
技術，為客戶提供更靈活且具競爭力的選擇。透過這次技術授權，世界先進將精準打造一個能與現有製程平台無縫接軌的氮化鎵製程平台，並將於公司成熟的８吋晶圓生產平台上進行驗證，以確保製程穩定性與高良率。相關開發作業預計於2026年初啟動，並於2028年上半年量產。
世界先進公司總經理尉濟時表示：「此次技術授權不僅展現世界先進公司與台積電持續交流與合作的成果，更象徵我們持續致力於推動完整氮化鎵產品解決方案，並強化在化合物半導體領域的策略布局。透過本次技術授權，我們將加速協助客戶滿足其對高效能電能轉換應用領域的需求，推動半導體電源技術邁向新世代，實現綠色能源與智慧應用的未來。
世界先進目前擁有五座８吋晶圓廠，分別位於台灣與新加坡。2025年平均月產能約28.6萬片八吋晶圓。世界先進及子公司共有逾7000名員工。
一手掌握經濟脈動 點我訂閱自由財經Youtube頻道
不用抽 不用搶 現在用APP看新聞 保證天天中獎 點我下載APP 按我看活動辦法
