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英特爾正在積極推進先進製程，追趕台積電。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕美國投資媒體《Motley Fool》披露，去年10月英特爾邀請科技記者參觀Fab 52的工廠，展示該工廠及其18A製程（對標台積電2奈米）。雖然所有記者都簽署了保密協議，但Level1 Techs的主持人一位告訴觀眾，他在Fab 52看到了「一些東西」。《Motley Fool》問：「英特爾是否對市場隱瞞 18A 製程的大秘密？」並強調，英特爾超越台積電的速度可能比之前預想的還要快。
報導說，投資者普遍認為英特爾遠遠落後台積電，如果有機會趕上的話，英特爾也需要數年時間才能趕上台積電的技術領先地位。
上週，伯恩斯坦分析師拉斯貢（Stacy Rasgon）表示，鑑於英特爾花了10年時間才「垮掉」，投資者不應指望它能用不到10年時間就重振旗鼓。儘管英特爾的艱難轉型真正開始於2021年，當時任命了前執行長季辛格，但轉型可能比拉斯貢預期的要快得多。
報導認為，英特爾要超越台積電，關鍵在於能否更早應用高數值孔徑（HNA）EUV技術。雖然英特爾曾公開表示，要到2028年的14A製程才會引入高數值孔徑技術，但過去一年來的種種跡象表明，英特爾實際上可能會將高數值孔徑技術提前應用到目前的18A製程中。如果這種情況發生，半導體產業可能會迅速改變。
報導說，就在兩週前的12月中旬，英特爾宣布已完成ASML EXE:5200 HNA機器的「驗收測試」。 EXE:5200 HNA機器是去年EXE:5000高NA機器的升級版，適用於大量生產。驗收測試意味著英特爾已將HNA機器投入晶圓廠運行，並滿足大批量生產的基準和客戶規格要求。
雖然英特爾從未明確表示會在 18A 使用高數值孔徑 EUV微影技術，但該公司在過去一年中確實透露一些可能性。同時，外界也開始猜測 Fab 52 工廠是否會採用高數值孔徑微影技術。研判，至少從去年 2 月開始，英特爾就在其 18A 製程「測試」高數值孔徑 （NA） 晶片了。
正巧，去年10月份，英特爾邀請科技記者參觀Fab 52的工廠，展示該工廠及其18A過程節點。雖然所有記者都簽署了保密協議，但Level1Techs的一位主持人告訴他的觀眾，他在Fab 52看到一些東西，並詢問英特爾，但英特爾要求他不要透露所見內容。
報導稱，目前沒有證據顯示英特爾在 18A 晶片使用 HNA EUV 技術。但考慮到它所宣稱的優勢，如果真的使用了，為什麼要保密呢？
原因可能有很多。其中之一可能是，為了保持神秘感，出其不意地推出HNA晶片，從而鞏固英特爾的先發優勢。此外，也可能存在這樣的擔憂：如果該工具的首次應用在成本節約、良率和性能方面預期過高，可能會造成不小的麻煩。畢竟，過去一年來，關於英特爾和18A進展的各種傳聞層出不窮，其中不乏負面消息。
由於半導體製造業一貫的保密性，投資者可能永遠無法得知英特爾是否真的在 18A 中使用 HNA EUV。如果英特爾選擇公開此事，那麼下週在拉斯維加斯舉行的 CES 展會或許是最佳時機和地點。
然而，鑑於該公司對 18A 製程的緘默態度，英特爾是否在其關鍵的 18A 製程使用高數值孔徑 EUV 微影技術，可能仍將是一個謎。
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