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華邦電（2344）今召開線上法說會。（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體廠華邦電（2344）今召開線上法說會，總經理陳沛銘表示，DRAM第四季平均售價與出貨量將會有更大幅成長，因結構性供應缺口，有的客戶一談需求就長達6年，供不應求正推動DDR4、DDR3合約價持續上漲，漲勢預期延續至2026年，甚至2027年也供應不足；NOR快閃記憶體與SLC NAND價格也預期續上漲。華邦電因應持續強勁的營運動能，正進行擴產計畫，預計2026～2027年資本支出將近新台幣400億元。
華邦電第三季記憶體產品營收季增10.2%，毛利率達50.8%，較上季的12.1%季增39個百分點，陳沛銘表示，毛利率高的原因有一大部分來自庫存重新評價，第四季這部分不多，但預期第四季營收會大幅成長，獲利會努力維持跟第三季相近。
他強調，這波DRAM結構性缺貨跟以前不同，以前漲價可能6到9個月就結束，這次會持續多久，他無法判斷，因還要看國際情勢等因素影響，華邦電因應之道就是將16奈米製程良率與品質做到最好，國際大廠難以將先進廠回頭做DDR4。
陳沛銘指出，快閃記憶體方面，基於原物料成本上升及終端需求回溫，NOR快閃記憶體價格自2025年第3季起上漲，預期將續上漲；SLC NAND的供給在接下來幾個季度仍將維持吃緊，預估也將推升價格進一步上漲。成長動能來自車用、筆電、伺服器、TWS等。
DRAM產品線方面，陳沛銘表示，結構性供應缺口正推動DDR4與DDR3合約價持續上漲，漲勢預期延續至2026年，伴隨主要大廠逐步退出DDR4供給，現有產能不足以滿足市場長期需求；供需失衡狀態將使現有供應商受益，需求成長來自智慧家庭、無人機、M2M、網通；消費性的電視產品需求也健康。
針對整體市場，陳沛銘說，全球經濟逐步復甦，並帶來新的商機，美中角力持續，需聚焦於供應鏈重組與策略規劃，AI熱潮正持續推動記憶體上行循環。華邦營運繼第三季轉虧為盈，正展現持續強勁的營運動能，高雄廠16奈米製程DRAM已完成試產前準備，約增加60%產能，8Gb DDR4/LPDDR4 產品線預期2026年量產，快閃記憶體約擴增20%；預估Flash與DRAM擴產計畫正進行中，2026～2027年資本支出將近新台幣400億元；邊緣AI的CUBE專案進展順利，預期於2027年會有顯著貢獻。
華邦電表示，資本支出將以自有資金為優先，但也將看訂購設備抵達時間進行資金規劃，折舊提列將視看設備到達與生產時間而定。
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