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近日三星電子宣布，針對12層高頻寬記憶體（HBM3E）採取最高達30%的降價策略，企圖以價格優勢爭奪市占。（示意圖，路透）
〔財經頻道／綜合報導〕近日三星電子宣布，針對12層高頻寬記憶體（HBM3E）採取最高達30%的降價策略，企圖以價格優勢爭奪市占；市場認為，三星意圖透過價格優勢爭奪市占率，卻直接暴露其良率爬坡緩慢導致的競爭被動性。
但殘酷的是，市場焦點已逐漸轉向下一代產品HBM4，隨著輝達新一代Blackwell Ultra AI 晶片進入開發階段，HBM4將成為關鍵記憶體規格。因此，三星在本輪HBM價格競爭，對傳統記憶體（如DRAM）影響有限。
據報導，三星的12層 HBM3E 直到上月才通過輝達（NVIDIA） 的嚴格驗證，並開始小量出貨，預估第4季供應量僅數萬片，顯著落後同行SK海力士與美光（Micron）等競爭對手。相較之下，SK海力士早在今年初便完成良率測試並正式供貨輝達，上半年更已量產16層 HBM3E；美光亦在6月突破70%良率門檻，出貨速度同樣領先三星。
為縮小市占差距，三星自7月起陸續向部分客戶提出降價提案，並警示HBM3E供應增速可能超出需求，短期內市場價格結構恐出現變動。
分析師指出，三星計畫於本月科技展發表第六代12層HBM4，預計今年底啟動量產；而SK海力士已於上月宣布完成全球首款HBM4開發，量產時程緊追在後。
外界預期，近期輝達更要求供應商將HBM4傳輸速率提升至10 Gbps，預計SK海力士可藉此維持量產初期的供應主導地位。
在價格走勢方面，TrendForce 預估今年HBM平均售價將上漲20.8%至1.8美元 / Gb，帶來可觀獲利。新一代12層HBM4 單價可能達500美元（約新台幣1萬5307元），較目前約300美元（約新台幣9184元）的HBM3E高出逾60%。
南韓KB證券分析師指出，三星今年第3季標準DRAM營業利益率約40%，而HBM約60%；若DRAM漲勢延續，明年非HBM業務獲利甚至有機會超越HBM。為回應AI帶動的記憶體需求暴增，三星與SK海力士等主要廠商預計在第4季上調DRAM與NAND價格最高達30%。
整體而言，三星的HBM3E降價屬於短期「搶市戰術」，但HBM4的技術迭代與AI算力擴張，才是記憶體產業長期競爭的真正主戰場。
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