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美股盤前台積電漲幅超過2.5%，美光稱DRAM供應緊張更助長盤勢上攻。（彭博）
首次上稿時間 17:22:20
更新上稿時間 21:41:20
〔財經頻道／綜合報導〕10月20日美股開市前，半導體股升漲，美光科技上升3.2%，台積電升超2.5%，報302.56美元。超微、英特爾漲幅超過1%。而美光稱DRAM供應緊張更助長盤勢上攻。
美股開盤後截至美東時間10月20日上午9:30，台積電ADR漲幅1.88%，300.74美元。
華爾街投顧TriOrient Investments主管Dan Nystedt表示，鑑於台積電在尖端晶片製造領域的領先地位，台灣晶片市場前景依然堅挺，而台積電仍是搶手貨。他也討論近期人工智慧交易的數量，並強調金融公司參與人工智慧革命的重要性。
消息面上，美光科技首席商務長Sumit Sadana表示，2026年DRAM記憶體供應形勢將比當前更為嚴峻。他指出，HBM產品對晶圓的消耗約為傳統DRAM的三倍，而主要廠商正將大量產能轉向HBM，疊加新建DRAM晶圓廠成本上升與周期延長，短期內難以實現大規模擴產。
輝達創始人兼首席執行長黃仁勳18日到訪台積電位於鳳凰城的半導體制造工廠，共同慶賀首塊在美國本土生產的Blackwell晶片正式上線，標誌着Blackwell產品已實現規模化量產。據悉，台積電亞利桑那工廠將生產包括2奈米、3奈米和4奈米晶片，以及A16晶片在內的先進技術，這些晶片對於人工智慧、電信和高性能計算等應用至關重要。
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