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漢磊推SiC新平台，股價噴出第2根漲停板。（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕化合物半導體廠漢磊（3707）宣布推出碳化矽（SiC）第4代平面型MOSFET技術製程平台，預期有助接單，帶動漢磊今盤中股價再強勢拉出第2根漲停，直奔54.2元，創今年新高價，截至10點10分，成交量2.66萬張、漲停委買張數約4500張。旗下的嘉晶（3016）也連袂漲停，達43.3元，成交量近5千張。
漢磊正式對SiC客戶開放第4代平面型MOSFET平台，相較去年發表G3技術平台，元件面積約縮減20%，改善導通電組（Ronsp）也達20%，以因應AI、電源應用及客戶需求。漢磊指出，新世代技術平台已達國際大廠的技術水平，可提供合作的設計公司更佳化的晶片效能與具競爭力的成本。
漢磊今年上半年受到短期終端需求仍面臨庫存調整壓力，營運持續出現虧損，每股稅後虧損1.02元，該公司預期下半年終端需求將逐步復甦，展望後市，樂觀看待化合物半導體發展，在節能減碳趨勢不變下，半導體綠能、電動車及未來AI伺服器的長期成長，必將擴大化合物半導體功率元件需求。
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