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成軍3年的格棋化合物半導體今（2）日宣布將於第4季正式登錄興櫃，圖為董事長張忠傑。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕成軍3年的格棋化合物半導體今（2）日宣布將於第4季正式登錄興櫃，董事長張忠傑表示，目前6吋和8吋機台已可調控共用，預計於2025年底將長晶爐數量擴增至百台規模，目前與多家日本與北美客戶洽談長約（LTA），力拚明年轉虧為盈。
隨著全球高效能源、電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速增長，格棋化合物看好半導體材料中的碳化矽（SiC）仍為各大產業實現高效轉換的關鍵核心，短期市場雖面臨終端調整與供應鏈去化壓力，但碳化矽市場中長期前景依然明確，全球正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期。
格棋化合物是台灣的新創公司，也是自主長晶與製程能力的少數業者。張忠傑表示，他是1978年出生，淡江材料及逢甲大學化學博士，曾在中研院研究多年材料，9年前投資成立電池工廠格斯科技，3年前在台裔美籍多特瑞大股東熊觀平兩兄弟的資金支持，投資成立格棋化合物半導體，股本25億元，熊家兄弟持股25%，張忠傑及家族持股約20%，另有400位股東。
根據Yole Group於2025年最新發布的《Power SiC 2025》市場報告，全球碳化矽功率元件市場預計將於2030年突破103億美元，2024至2030年年均複合成長率達20.3%。報告明確指出，6吋碳化矽晶圓仍為現階段主流產線平台，與8吋碳化矽晶圓將於未來數年內長期共存，並依應用場域策略分布。
儘管業界高度關注8吋作為中長期擴產與降本的方向，但目前全球主流IDM與供應商皆以6吋平台為量產核心，Yole報告也指出，2025年全球6吋碳化矽晶圓仍佔出貨主力，且在價格競爭下平均單價年跌幅超過30%，顯示成本優勢與成熟度。
格棋指出，台灣僅少數業者從碳化矽長晶、晶棒加工至晶圓出貨的垂直整合材料廠，過去2年該公司投入自有設備與製程開發，聚焦4大核心技術包括原材料物性控管、籽晶沾黏精度、熱場參數設計與模組結構穩定性。透過系統性優化，格棋有效控制結晶缺陷密度與應力變異，晶圓導電穩定性與良率皆達國際一線水準。
在產能部署方面，格棋預計於2025年底將長晶爐數量擴增至百台規模，搭配自主切割與檢測能力，建構可控交期、彈性擴產的完整量產體系。目前產品線已支援多項高功率應用，包括電動車主驅模組、光儲逆變器與AI高效伺服器，並陸續進入國際客戶驗證流程。
張忠傑強調，6吋平台現階段仍為公司量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢；同時，8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平台，確保良率穩定性與成本效益的最佳平衡。
他表示，格棋所布局的雙平台架構，讓其成為亞太區內少數可同時提供6吋成熟製程與8吋導入彈性的供應商，為國際客戶提供策略性選擇，也進一步奠定其在功率元件材料供應鏈中的關鍵角色。
為因應地緣政治變動與供應鏈重組挑戰，格棋導入「虛擬IDM（Integrated Device Manufacturer）」營運策略，整合原料來源、長晶、晶棒加工、設計驗證至終端應用夥伴，打造一站式碳化矽材料與模組整合服務。透過此模式，格棋不僅強化交期控制能力，也可依不同區域客戶需求進行在地支援與技術配套。
張忠傑表示，目前格棋已同步啟動北美、日本與歐洲等區域合作計畫，未來將依據業務拓展進程設立技術服務據點，提供貼近需求的材料建議與應用支援，加速碳化矽在全球高功率應用的落地進程。
張忠傑指出，碳化矽雖非『快速爆發型』市場，但具備長期技術壁壘與應用黏著度，是支撐能源轉型與高效電力傳輸的關鍵材料。面對全球進入新一輪競爭期，格棋將持續以核心製程深耕、全球鏈結布局，推動台灣化合物半導體產業升級。
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