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根據香港券商最新報告，三星電子今年6月未能通過第3次輝達12層HBM3E晶片認證。（法新社資料照）
陳麗珠／核稿編輯
〔編譯盧永山／綜合報導〕根據香港券商最新報告，三星電子今年6月未能通過第3次輝達12層HBM3E晶片認證，這家南韓科技大廠目前預計在9月進行第4次認證，在DRAM業務上想要追上南韓同業SK海力士顯得更加吃力。
三星電子最新的認證工作未能達到輝達的標準，這為其進入下一波AI工作負載HBM（高頻寬記憶體 ）供應的時間表帶來進一步的不確定性。儘管三星電子提前提升了HBM3E的產量，但由於未能獲得認證，其供應計劃被迫推遲。
與此同時，美光科技似乎正取得新進展。美光利用韓美半導體的熱壓鍵合 （TCB）設備，提高8層和12層HBM3E晶片的良率，12層HBM3E晶片的良率已達70%，而8層HBM3E晶片的良率則達75%。
瑞銀近期也報告稱，三星電子12層HBM3E的認證仍處於「待決」狀態，並預測該公司向輝達的供貨可能會推遲到今年第4季。由於輝達等AI晶片製造商需要更快、更有效率的記憶體解決方案，此次挫折可能會改變競爭激烈的HBM市場格局。
美光6月12日宣布，已向主要客戶交付其第6代HBM4樣品，用於AI晶片。這使得美光成為繼SK海力士之後，第2家交付HBM4樣品的DRAM製造商，SK海力士於今年3月開始交付HBM4樣品。
與此同時，由於各大科技公司客製化AI晶片的量產延遲，瑞銀已調整HBM的市場需求預期。該公司目前預測，今年全球HBM需求量將達到1630億GB，低於先前預估的1890億GB；並預計2026年HBM需求量將達2540億GB，略低於先前預測的2610億GB。
研調機構集邦科技（TrendForce）最新調查指出，今年第1季由於一般型DRAM合約價下跌，加上高頻寬記憶體（HBM）出貨規模收斂，DRAM業的營收為270.1億美元，季減5.5%；值得注意的是，第一季SK海力士受惠HBM3E晶片出貨比重提升，超車三星電子，營收和市占率首度單季排名第1。
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