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洪嘉聰表示，聯電與英特爾開發12奈米進展順利，預計明年通過驗證（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工大廠聯電（2303）董事長洪嘉聰表示，聯電去年在技術開發、多元製造基地及未來AI市場應用三方面均取得顯著進展，其中，與英特爾 （Intel） 合作共同開發的12奈米平台順利推進，預計於2026年完成製程開發並通過驗證，先進封裝技術晶圓級混合鍵合技術（W2W hybrid bonding）已完成產品驗證，預計於今年進入量產。
洪嘉聰在今年公司股東會營業報告書中指出，去年全球經濟逐步恢復，半導體產業仍面臨地緣政治變化、通膨、庫存調整及產能過剩等多重挑戰。在此環境下，聯電經營團隊展現卓越管理能力，持續穩健獲利並推進技術研發，為未來發展佈局。
他說，對聯電而言，去年是策略佈局的重要一年。在技術開發、多元製造基地及未來 AI 市場應用方面均取得顯著進展。與英特爾 （Intel） 合作共同開發的 12 奈米平台順利推進，同時，聯電積極佈局先進封裝技術，以迎接AI與邊緣運算時代。
洪嘉聰表示，聯電長期致力於多元製造基地的佈局，這成為公司的差異化優勢。台灣、新加坡、日本和中國的生產基地，為客戶提供彈性供應鏈選擇。隨著新加坡P3 擴廠的完成，與英特爾在美國亞利桑那州的量產計畫，聯電將在多變的地緣政治環境中提供更多選擇與服務。
聯電去年研發投入達到新臺幣 156 億元，專注於開發5G通訊、人工智慧、物聯網及車用電子等領域所需的製程技術。隨著業界逐步向 28奈米邁進，聯電在12奈米和14奈米特殊製程及3D IC先進封裝的研發也有所進展。
洪嘉聰指出，12奈米FinFET製程技術平台（12FFC）相較於14FFC，晶片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用於各種半導體產品。
他表示，聯電與英特爾在美國合作開發12奈米 FinFET 製程，是聯電追求成本效益產能擴張及技術升級的重要策略。
洪嘉聰指出，目前12奈米合作進展順利，客戶對其商機持樂觀態度，並認為聯電的12奈米性能極具競爭力。此合作將協助客戶升級至關鍵技術節點，提升北美市場供應鏈韌性，預計於2026年完成製程開發並通過驗證。
聯電在14 奈米 FinFET 嵌入式高壓製程技術平台（14eHV）也有進展，此平台的晶片性能
相較於28eHV大幅提升，尺寸更小，能降低耗能超過 40%，並應用於顯示器驅動晶片，提供更高解析度及更新速率。
聯電的22奈米影像訊號處理器（22ISP）技術已於去年導入量產，成為客戶首款採用22奈米製程的產品。28 奈米嵌入式高壓低功耗製程平台（28eHV-LP）已於去年完成開發，適用於AMOLED 面板顯示器驅動 IC，能在不影響圖像畫質或資料速率的情況下，降低耗能達 15%，預計今年量產。28 奈米非揮發性記憶體製程平台（28ESF4）及 22 奈米電阻式記憶體製程平台（22RRAM）兩個平台已完成通用及物聯網微處理器的驗證。
此外，聯電110奈米BCD 3.3V新應用平台，目前進入設計定案與驗證階段，預計於今年量產。153奈米客製化手機功率 IC（PMIC）試產成功，預計於今年開始量產。
先進封裝技術上，聯電在移動設備的射頻（RFSOI）元件方面，利用晶圓級混合鍵合技術實現尺寸微縮，已完成產品驗證，預計於今進入量產；在邊緣人工智慧（Edge AI）方面，與供應鏈建立W2W 3D IC 專案，進入邏輯晶片與客製化記憶體的異質整合驗證；在高效能運算（HPC）與雲端人工智慧（Cloud AI）方面，成功在矽中介層中加入深溝槽電容（DTC），為 2.5D 封裝晶片提供優異的電源完整性，已完成產品驗證並進入試產。
聯電在氮化鎵（GaN）元件製程已成功研發氮化鎵射頻（RF）元件及氮化鎵功率元件製程，其中，氮化鎵射頻開關元件製程已進入量產，氮化鎵射頻功率放大器（PA）元件製程及氮化鎵 650V 功率元件製程皆已進入客戶產品驗證和試產階段。
洪嘉聰指出，展望未來，雖然地緣政治和產能過剩仍然是挑戰，但終端市場庫存調整的不均現象有望逐步緩解，同時，AI的應用也將帶來新的機遇。聯電將在現有基礎上持續扎根，專注於技術研發、多元產能、卓越製造和永續淨零的準備，致力為股東提供穩健的回報與持續的成長機會。
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