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傳三星（Samsung）以4奈米製程進行的邏輯晶粒（logic die），測試良率已超過40%。（法新資料照）
高佳菁／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒報導，三星（Samsung）以4奈米製程進行的邏輯晶粒（logic die），測試良率已超過40%。這代表著三星在競爭激烈的HBM市場中站穩基礎的重要一步，但業界人士仍點出三星所面臨的障礙。
韓媒《Chosun Biz》報導稱，三星旗下掌管半導體業務的裝置解決方案部門（DS）主管全永鉉近日透過內部信件稱讚晶圓代工同仁，因為4奈米邏輯晶粒測試生產良率已從最初的15％至19％水平提升到40％以上。
邏輯晶粒是HBM4記憶體晶片堆疊的重要控制元件，三星為了提升邏輯晶粒性能不斷嘗試新技術，1名產業專家表示：「初期良率能達到40％堪稱相當優秀，足以開始規劃商業量產。」
三星在HBM3E市場上落後SK海力士、美光，目前正大力押注HBM4市場。
然而，報導指出光是邏輯晶粒良率提升還不足以保證三星HBM4能打贏對手競品，因為三星打算以邏輯晶粒結合10奈米等級DRAM（1c DRAM）打造12層HBM4，必須確保1c DRAM量產品質穩定，才能贏過SK海力士在HBM4採用的1b DRAM技術。
另一方面，封裝技術也至關重要。與SK海力士不同的是，三星HBM採用熱壓縮非導電薄膜（TC-NCF）技術進行堆疊，但該技術散熱效果有待改善。
1位業內人士坦言：「對三星來說，穩定這領域生產和相關封裝技術仍然是個重要的挑戰。」
Counterpoint Research統計，今年第1季SK海力士在全球DRAM市場拿下36％市占率，主因是HBM需求延燒。相較之下，三星市占率約34％。
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