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先進的高科技設備旁，也不忘放了一包「乖乖」。（記者吳俊鋒攝）
〔記者吳俊鋒／台南報導〕成功大學建置的晶體研究中心今天啟動，成為國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，將攜手產業夥伴，推動碳化矽與氧化鎵（Ga₂O₃）材料於半導體、光學、雷射與醫療等領域的應用，提升台灣在全球市場的競爭力；而先進的高科技設備旁，也不忘放一包「乖乖」，希望運轉順利，頗有意思，被戲稱是台灣人才懂的另類咒術。
成大晶體研究中心由該校教授周明奇擔任主持人，在國科會與教育部長期下支持，已突破高溫碳化矽晶體生長的技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度的碳化矽晶體，為台灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料。
周明奇表示，晶體中心的新技術，將大幅提升電動車、5G通訊、高效能電源管理等應用的效能，協助台灣產業搶占全球市場先機，在氧化鎵領域也取得重大進展。
周明奇說，氧化鎵因擁有超寬能隙特性，被視為下一代高功率電子元件的重要材料，透過特殊設計的熔融法生長技術，中心團隊已成功製備出高品質氧化鎵晶體，未來將加速商業化應用，助攻台灣關鍵產業升級。
晶體中心建置於台南科學園區的台達大樓內，今天的揭幕典禮，國科會自然科學及永續研究發展長賴明治、教育部主任秘書林伯樵等人專程出席，在產官學研等各界的見證下聯手揭幕。
周明奇在簡報中提到，將研發加強AI技術與支援AI系統的新穎晶體，團隊也會利用AI與機器學習，協助建立新型晶體模型，優化工業晶體生長、加強台灣在凝態物理與次世代半導體的國際競爭力。
周明奇強調，晶體研究中心的成立，獲得學術界高度關注，也吸引國內外龍頭企業大力支持，大立光電集團投入鉅資建置最先進的晶體生長設備，並額外投入經費專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，讓研究規模擴增三倍，推動台灣在全球晶體技術競爭中的領導地位。
大立光及其子公司台灣應用晶體公司也將加入成功大學半導體學院，進行碳化矽磊晶生長研究，預計將在未來三年內帶來突破性的技術成果。
成大晶體中心也已於立陶宛、拉脫維亞等波羅的海國家設立研究據點，與當地團隊攜手開發高功率薄片雷射系統（TDL），並取得重要技術成果，該技術有望應用於先進雷射醫療、精密加工與光通訊等領域，鞏固台灣在國際晶體技術市場的競爭優勢。
現場還打造了晶體科學博物館，展示各項技術，結合研發與教育功能，深化科學素養外，也推動數學、物理、礦物學與科學史等研究。
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