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英特爾18A製程將在今年上半年投片，並與台積電規劃中的2奈米製程（N2）決戰。（彭博，本報合成）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕英特爾代工服務 （IFS）18A製程將在今年上半年投片，並與台積電規劃中的2奈米製程（N2）決戰。專為頂級半導體公司提供諮詢的分析師Dr. Ian Cutress博士指出，兩家公司的最先進製程具有不相上下的優勢，其指標關鍵就在SRAM（靜態隨機存取記憶體），顯示晶片霸主地位爭奪非常激烈。
諮詢公司More Than Moore的首席分析師Ian Cutress在推文中表示，英特爾的18A SRAM密度為38.1MB/mm2，與台積電公佈的數字相同。 SRAM密度是一種測量方法，表示在半導體晶片的特定區域中可以找到的SRAM內存量。
SRAM通常用於高速應用，例如CPU快取（L1、L2、L3）。這些高速層儲存經常存取的數據，以便處理器不必等待對主DRAM（動態隨機存取記憶體）記憶體較慢的存取。更高的SRAM密度允許更大的緩存，這往往會提高效能。
台積電2奈米製程開始使用環柵電晶體 （GAA） 取代FinFET。這些電晶體使用垂直堆疊的水平奈米片，使閘極能夠從四面與通道接觸，從而減少電流洩漏，並實現更快的速度和更高的驅動電流。台積電第一代2奈米製程的SRAM密度提高了12%，而高性能SRAM密度提高18%。
英特爾的Power Via功能可協助其提高18A製程的SRAM密度。該技術也稱為BSPDN（背面供電），將供電網路（PDN）從矽片的頂部移至底部。舊技術佔用太多空間，限制了SRAM密度。
Cutress博士特別指出，值得注意的是，SRAM密度數字可能會根據單一SRAM儲存單元的結構而改變。當我們一旦看到18A和N2製程用於為新設備供電的實際組件展現其成果的時候，兩家公司引爆的真正的火花就會出現。
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