外媒指出,由於三星仍然無法通過輝達認證,今年恐無法供應輝達 HBM3E。(資料照,法新社)
陳麗珠/核稿編輯
〔財經頻道/綜合報導〕對於已經錯失AI先機的三星電子而言,目前最著急的就是打入輝達供應鏈。外媒12日指出,由於三星仍然無法通過輝達認證,今年恐無法供應輝達 HBM3E 高頻寬記憶體。報導還強調,由於競爭對手SK 海力士將門檻定得很高,以至於三星很難獲得輝達的認證和訂單。
外媒Wccftech報導,三星無法在輝達的供應鏈占一席之地,主因該公司的HBM3E 無法通過輝達訂定的測試和 HBM 標準,三星日前對投資人的報告已承認這個事實。
報導引述韓媒 Daily Korean 的最新報導稱,三星 2024 年向輝達供應 HBM3E的期望,現在看起來幾乎不可能,2025 年會比較樂觀。
報導認為,三星無法在 2024 年向輝達供應 HBM3E,表明在 HBM 的市場競爭當中,三星的宿敵 SK 海力士持續穩居領先地位。外傳,三星未能通過輝達認證的主要原因,是 SK 海力士將門檻定得很高,尤其是 SK 海力士在當中使用MR-MUF 等先進製程技術,導致三星很難獲得輝達的認證和訂單。
曾經在 HBM 和 NAND 等記憶體產品市場取得先機的三星,目前正失去逐漸優勢,因為 SK 海力士和美光等競爭對手,已經向市場供應相關產品,三星卻不見蹤影。
不僅如此,即使在 NAND Flash 領域,SK 海力士也成為全球第一家量產 321 層堆疊解決方案的製造商,三星則預計最快要到 2025 年上半年末,才能提供領先的 400 層堆疊 NAND Flash,顯示其領先的程度漸消失。
報導稱,對三星來說,並非一切都很悲觀,該公司預計最早將於 2025 年第一季開始向輝達等客戶供應 HBM3E。另外,三星還將憑藉下一代 HBM4 製程技術,期望重新領先競爭對手。只是,SK 海力士已經和台積電合作,進一步開發 HBM4 的產品。所以,三星必須盡速採取行動,才能引起業界關注。
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