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美國聯手盟友收緊對中國半導體出口限制，中國近日公布全新中國產DUV曝光機。（示意圖，路透）
陳麗珠／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕中國工信部9月初公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知中，列出全新自製DUV曝光機，分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。許多中國民眾樂翻，高喊中國突破美國封鎖，瞎扯「可生產8奈米晶片」，慘遭自家人打臉。中媒直言，此款新的DUV曝光機僅能生產65奈米或以下晶片，有人看到「套刻≤ 8nm」就認為這是8奈米曝光機，令人啼笑皆非。
中媒芯智訊報導，根據中國工信部公布的資料顯示，「積體電路生產裝備」項目列出了氟化氪曝光機和氟化氬曝光機，氟化氪曝光機就是老式的248奈米光源的KrF曝光機，分辨率為≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氬曝光機則是193奈米光源的ArF曝光機（DUV曝光機），但揭露的這款仍是乾式DUV曝光機，而非更先進的浸沒式DUV曝光機（也稱為ArFi曝光機）。
從工信部揭露的參數來看，此DUV曝光機解析度為≤65nm，套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600曝光機有所提升（解析度為90nm），仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度，更達不到製造什麼8奈米、7奈米晶片的程度，很多網友直接把套刻精度跟光刻製造製程節點水平搞混。
報導指出，65nm的分辨率，那麼單次曝光能夠達到的製程節點大概就是「65奈米」左右。有人一看到「套刻≤ 8nm」就認為這是8奈米曝光機，令人啼笑皆非。
一位中國自媒體人也說，將「套刻≤ 8nm」認為可生產8奈米晶片「醒醒吧」，要達到8奈米還早，新公布的DUV曝光機應該落後ASML整整18年，想要往浸沒式DUV曝光機進軍，技術難題還多著，若要追趕ASML，必須一步一步來，切不可盲目樂觀。
科技媒體《WccfTech》則認為，中國新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年，因為荷蘭半導體設備巨擘 ASML 的客戶，至少在 2009 年就可以透過其 ArF 曝光機生產晶片。
中國工信部公布，全新中國產DUV曝光機。（圖取自中國社交平台）
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