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半導體業界透露，台積電的第一台高數值孔徑極紫外光 （High NA EUV） 微影設備，將在本（9）月進機台。（資料照）
〔記者洪友芳／台北報導〕半導體業界透露，晶圓代工龍頭廠台積電的第一台高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影設備，將在本（9）月進機台，最快會引用在Ａ16奈米製程。
業界也傳出，High NA EUV設備價格不斐，一台超過百億元，台積電採購High NA EUV由董事長暨總裁魏哲家、新任資材管理組織副總經理李文如等相關主管聯手操刀，議價幅度達15%。
業界表示，High NA EUV設備體積龐大，目前還在研究如何運輸到台灣與竹科廠區，包括進入園區高速公路怎麼走，這個都要深入研究。
艾司摩爾（ASML）產品管理副總裁Greet Storms上周指出，該公司現在的EUV客戶都已有下訂單，採購High NA EUV設備，該公司將與客戶緊密合作，希望2026年往量產方向推進。她強調High NA EUV 可簡化製程工序並有效節能，對客戶仍具有降低成本的效益。
艾司摩爾此前證實，今年底前將向台積電交付最新的High-NA EUV。（路透資料照）
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