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晶背供電（BSPDN）是新一代晶圓代工技術，代工巨頭準備將其導入先進製程晶片的量產。（法新社檔案照）
〔編譯魏國金／台北報導〕《韓國經濟日報》報導，三星電子晶圓代工事業1名高層指出，稱為「晶背供電」（BSPDN，又稱背面電軌）的新晶片代工技術將縮小2奈米晶片面積17%。三星預定2027年起將BSPDN應用於2奈米製程晶片的量產。
報導說，三星代工製程設計套件（PDK）開發團隊副總裁Lee Sungjae近日在西門子EDA論壇上演說指出，相較於傳統的前端配電網絡，BSPDN可提升晶片的效能與功率分別8%、15%。這是三星晶圓代工事業高層首度對外說明其BSPDN技術細節。
報導說，BSPDN被稱為下一代晶片代工技術，它將電軌置於晶圓背面，以去除電與訊號線之間的瓶頸，讓晶片面積縮小。
晶圓代工廠正準備採用先進的晶片製程。英特爾計畫今年內將BSPDN應用於英特爾20A（即為2奈米節點）的製程上，其稱該技術為「PowerVia」。控制全球晶圓代工市場62%的台積電表示，計畫2026年底左右，將BSPDN導入至其1.6奈米以下製程。
Lee Sungjae也指出，計畫今年下半量產基於第二代環繞式閘極（GAA）技術（SF3）的3奈米晶片，並將GAA導入其2奈米製程。
他補充，與第一代GAA技術生產的晶片相較，SF3可分別提升晶片的效能與功率30%、50%，同時縮小晶片尺寸35%。
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