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三星最快今年第4季裝置首台high-NA EUV。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕美國科技媒體《Tom's Hardware》引述韓國《首爾經濟日報》報導，知情者指出，三星電子最快今年第4季至2025年第1季裝置其第一台高數值孔徑（high-NA）極紫外光機（EUV），預計用於晶圓代工，除此之外，三星也將與日商JSR、東京威力科創、雷泰光電（Lasertec）以及美商新思科技（Synopsys）合作開發高數值孔徑生態系，三星積極從事技術開發，以期在與台積電、英特爾的晶片戰爭中更具競爭力。
報導指出，三星第一台艾司摩爾（ASML）Twinscan EXE:5000高數值孔徑曝光系統將裝置於華城園區，三星在該園區開發下一代邏輯與DRAM製程技術。該機台預計2025年中運作，亦即較英特爾延遲約1年運作其首台高數值孔徑EUV，不過仍早於對手台積電與SK海力士。三星何時採用高數值孔徑EUV進行量產還有待觀察。
三星也計畫圍繞高數值孔徑EUV技術開發強健的生態系。除了採購高數值孔徑EUV設備，三星也正與日本雷泰光電合作開發專用於高數值孔徑光罩的檢測設備，據悉三星已採購雷泰光電的高數值孔徑EUV光罩檢測工具Axtis A300。
三星電子半導體研究所專家Min Cheol-ki指出，與傳統EUV專用工具相較，使用高數值孔徑EUV專用工具檢測半導體光罩，對比度提高了30%以上。
報導說，三星也與光阻劑大廠JSR、蝕刻機製造商東京威力科創合作，以期2027年前商業應用高數值孔徑EUV設備。三星同時與新思科技合作，將傳統的電路設計轉向至光罩上的曲線圖案，該轉變料將改善印壓在晶圓上的電路精度，對製程技術的進一步提升至關重要。
不過，進入high-NA將面臨挑戰，首先high-NA EUV非常昂貴，造價在3.8億至4億美元之間，再者，high-NA機台十分龐大，晶圓製造商需重新考慮晶圓廠的布局，以適應該新機台。
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