晴時多雲

彎道翻車?傳三星3奈米試產良率曾低至0%

2024/07/10 12:54

三星急於以GAA架構超越台積電,豈料3奈米製程良率偏低。(路透合成圖)(記者魏國金攝)

〔編譯魏國金/台北報導〕三星電子最新的Exynos 2500處理器良率一直是外界關注焦點。韓媒DealSite披露,目前三星3奈米生產流程存在問題,在試產Exynos 2500處理器時,最後統計出的良率竟然為0%。中國虎嗅網近日文章指出,該爆料若確實,「三星可能創造了半導體史上最大的玩笑」。

虎嗅網標題為「砸下8,400億元(人民幣,3.76兆台幣)後,三星先被自己人背刺」的文章說,知名分析師郭明錤6月19日在個人社群媒體上稱,高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供應商,原因是三星自家的Exynos 2500晶片良率低於預期而無法出貨。

該消息似乎佐證了韓媒DealSite先前發布的一份看似「離譜」的爆料,即目前三星3奈米生產流程存在問題,在試生產Exynos 2500處理器時,最後統計出的良率為0%。

該文指出,三星電子幾乎是以「透支集團未來」的方式投資3奈米製程。在2023年財報中,三星電子就曾表示,在全年資本支出的53.1兆韓元中(1.24兆台幣),有48.4兆韓元(1.13兆台幣)用於半導體。

另根據Tom's Guide先前推測,在整個3奈米計畫中,三星共投資1,160億美元(3.78兆台幣),這還不包括後續用於亞利桑那州、德州兩座3奈米廠的建設費用。

如此重金押注3奈米製程,換來的卻是自家旗艦機型的晶片,讓競爭對手獨供,勢必對三星的半導體業務帶來沉重打擊。

文章分析,三星的問題在於其極力尋求以閘極全環繞(GAA)技術超越台積電。實際上,在3奈米製程的開發上,三星的動作要先於台積電。

早在2017年,三星就宣布著手3奈米製程的研發工作。2021年中,三星宣布3奈米製程成功流片,2022年6月,三星又宣布3奈米製程進入量產階段。從流片到量產,三星較台積電維持約半年的領先優勢。

問題在於,三星在3奈米製程上改用閘極全環繞(GAA)架構的進度快得有些不正常。晶片架構的升級是非常漫長的過程,不僅對於晶片代工廠商有很高的要求,也是整個晶片產業鏈的挑戰。

一位業界從業人員表示,FinFET架構在1999年發明出來後,直到2011年前後,業界才出現與之配套的成熟EDA(電子設計自動化)軟體。三星是目前唯一研發GAA架構的廠商,這家公司恐怕很難短時間內與EDA廠商一同摸索出適用GAA架構的解決方案。

文章說,三星想透過更先進的GAA架構實現彎道超車,但如今卻不得不面對產品良率為0的窘境。

對於圍繞3奈米製程的佈局,從結果來看,重金押注GAA架構的三星賭輸了。沿用FinFET架構的台積電雖被外界批評保守,但來自輝達、蘋果、英特爾的訂單讓其3奈米製程工廠的產能利用率一度超過100%,但三星目前卻未得到任何大廠的青睞。

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