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艾司摩爾今年初才裝置第一台High-NA EUV，如今再度宣佈新EUV技術計畫。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕《EE Times》報導，艾司摩爾（ASML）再度宣佈新曝光機計畫，預定2030年推出的Hyper-NA極紫外光機（EUV），將縮小最高電晶體密度晶片的設計限制。
艾司摩爾前總裁Martin van den Brink宣佈，約在2030年將提供新的Hyper-NA EUV技術。目前仍處於開發初期階段的Hyper-NA將遵循High-NA系統，艾司摩爾今年初在英特爾奧勒岡廠首度安裝High-NA系統。
報導說，van den Brink上月在imec的ITF World演說指出，「長遠而言，我們必須改善我們的光源系統，而且我們也必須採用Hyper-NA。與此同時，我們必須使我們所有系統的生產率提高到每小時400至500片晶圓」。
高數值孔徑（High-NA）是將數值孔徑（NA）從早期EUV工具的0.33 NA提高到0.55 NA。約3年前，艾司摩爾說，高數值孔徑將協助晶片製造商在至少10年內達到2奈米以下製程節點。現在艾司摩爾表示，約在2030年該公司將提供Hyper-NA，達到0.75 NA。
艾司摩爾對《EE Times》澄清，這是van den Brink關於Hyper-NA的願景，目前該公司仍在進行可行性研究。
不過，根據imec高級圖案化專案主任Kurt Ronse說，這是艾司摩爾首度將Hyper-NA納入其路線圖。他與艾司摩爾合作開發曝光機超過30年。他說，「現在有許多研究要進行，我們能否提高超越0.55至0.75、0.85？Hyper-NA肯定會帶來一些新挑戰」。
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