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ASML高數值孔徑極紫外線（High-NA EUV）曝光機超越晶片製造密度紀錄，並可將製造速度提升150%。（路透）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕荷蘭晶片製造設備大廠艾斯摩爾（ASML）憑藉其高數值孔徑極紫外線（High-NA EUV）曝光機超越了自己的晶片製造密度紀錄，並可將製造速度提升150%。
ASML前總裁、目前擔任顧問職務的Martin van den Brink在imec ITF World 2024 會議上向與會者表示，該公司已經利用High-NA EUV機器成功打印了8奈米密集線，打破了ASML在2020年創下的1000萬條密集線紀錄。
Van den Brink 概述了一項計劃，透過從根本上將未來ASML曝光機的速度提高到每小時400至500片晶圓（wph），比目前200 wph的高峰值高出一倍多，即提升了100%至150%，從而降低EUV晶片製造成本。
Van den Brink表示：我們已經取得了進展，能夠在整個視場上顯示低至8nm的創紀錄成像，並進行校正，而且還具有一定程度的重疊。該記錄是在ASML和比利時研發組織imec 聯合實驗室創下的成果。
ASML 是製造最先進的3奈米和5奈米晶片所需的極紫外曝光機的全球唯一供應商。該公司於2013年首次生產的標準機器具有0.33NA（數值孔徑），而高NA機器具有0.55NA。與傳統0.33NA EUV不同，高NA EUV每次曝光所需的光線更少，從而減少了列印每層所需的時間，提高了晶圓產量。
本月稍早有報導稱，英特爾已獲得ASML將於2024年生產的所有高數值孔徑EUV機器庫存，每台成本約為3.7億美元。英特爾於2024年1月從ASML收到了第一台高數值孔徑EUV機器，並於4月中旬完成了俄勒岡州機器的組裝。
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