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三星否認HBM品質問題 1句話巧妙迴避

2024/05/28 07:20

三星高階晶片HBM3E目前尚未通過輝達驗證。(彭博)

吳孟峰/核稿編輯

〔財經頻道/綜合報導〕日前市場傳出,三星電子最新高頻寬記憶體(HBM)晶片,由於過熱及功耗問題,尚未通過輝達(Nvidia Corp.)檢驗,且與台積電有關,三星對此否認,並稱目前正與多間全球合作夥伴順利開展HBM供應測試,強調將繼續合作,確保品質和可靠性。

外媒報導,三星發聲明表示,「HBM是客製化記憶體,會根據客戶需求進行調整並最佳化,目前公司與客戶正密切合作」,但拒絕針對特定客戶發表評論。

據了解,生成式AI浪潮激發了科技巨頭對於GPU的龐大需求, 因此將DRAM垂直堆疊、降低功耗,有助於處理大量AI運算的HBM成為了焦點,而HBM3E更是市面上最新的版本,包括美光、SK海力士都參與競爭,並陸續獲得輝達驗證,但至今三星仍未達到輝達的標準,而遲遲無法向輝達出貨。

對此,外媒Tom’s Hardware認為,三星雖然聲稱最新HBM產品可與多種處理器正常工作,但沒明確說明能否與Nvidia所有處理器正常工作,也因為Nvidia有多種GPU採用HBM3E記憶體,包括H200及B200、B100和GB200,雖然都需要HBM3E記憶體堆疊,但對功耗和散熱要求不同。

因此,外媒認為,三星HBM3E可能較適合H200、B200 及AMD即將推出的Instinct MI350X,但可能無法滿足Nvidia GB200要求。

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