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三星高階晶片HBM3E目前尚未通過輝達驗證。（彭博）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕日前市場傳出，三星電子最新高頻寬記憶體（HBM）晶片，由於過熱及功耗問題，尚未通過輝達（Nvidia Corp.）檢驗，且與台積電有關，三星對此否認，並稱目前正與多間全球合作夥伴順利開展HBM供應測試，強調將繼續合作，確保品質和可靠性。
外媒報導，三星發聲明表示，「HBM是客製化記憶體，會根據客戶需求進行調整並最佳化，目前公司與客戶正密切合作」，但拒絕針對特定客戶發表評論。
據了解，生成式AI浪潮激發了科技巨頭對於GPU的龐大需求， 因此將DRAM垂直堆疊、降低功耗，有助於處理大量AI運算的HBM成為了焦點，而HBM3E更是市面上最新的版本，包括美光、SK海力士都參與競爭，並陸續獲得輝達驗證，但至今三星仍未達到輝達的標準，而遲遲無法向輝達出貨。
對此，外媒Tom’s Hardware認為，三星雖然聲稱最新HBM產品可與多種處理器正常工作，但沒明確說明能否與Nvidia所有處理器正常工作，也因為Nvidia有多種GPU採用HBM3E記憶體，包括H200及B200、B100和GB200，雖然都需要HBM3E記憶體堆疊，但對功耗和散熱要求不同。
因此，外媒認為，三星HBM3E可能較適合H200、B200 及AMD即將推出的Instinct MI350X，但可能無法滿足Nvidia GB200要求。
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