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三星HBM晶片因發熱問題，未通過輝達測試（法新社）
高佳菁／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕三星HBM晶片落後競爭對手SK海力士與美光壓力越來越大，路透報導，三星電最新的高頻寬記憶體 （HBM） 晶片因為散熱問題，未通過輝達（NVIDIA）的測試。
3名知情人士表示，由於熱量和功耗問題，該公司的人工智慧處理器的使用測試正在進行中。這些問題影響到三星的 HBM3 晶片，該晶片是目前人工智慧圖形處理單元 （GPU） 最常用的第四代 HBM 標準，以及三星及其競爭對手正在推向市場的第五代 HBM3E 晶片。
三星未通過英偉達測試的原因首次被通報。
三星在給路透社的聲明中表示，HBM 是1款定制內存產品，需要“根據客戶需求進行優化流程”，並補充說，公司正在通過與客戶的密切合作來優化其產品。它拒絕對特定客戶發表評論。
英偉達拒絕置評。
3位消息人士稱，自去年以來，三星一直在努力通過輝達對 HBM3 和 HBM3E 的測試。據兩位知情人士透露，最近對三星 8 層和 12 層 HBM3E 晶片的失敗測試結果已於 4 月公佈。
目前尚不清楚這些問題是否可以輕易解決，但三位消息人士表示，未能滿足輝達達的要求增加了業界和投資者的擔憂，即三星可能會進一步落後於競爭對手 SK 海力士和美光科技在HBM 中。
三星官員向其中兩名消息人士介紹了此事，由於資訊屬於機密，因此消息人士要求匿名。
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