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GG了!三星HBM晶片因發熱問題 未通過輝達測試

2024/05/24 08:26

三星HBM晶片因發熱問題,未通過輝達測試(法新社)

高佳菁/核稿編輯

〔財經頻道/綜合報導〕三星HBM晶片落後競爭對手SK海力士與美光壓力越來越大,路透報導,三星電最新的高頻寬記憶體 (HBM) 晶片因為散熱問題,未通過輝達(NVIDIA)的測試。

3名知情人士表示,由於熱量和功耗問題,該公司的人工智慧處理器的使用測試正在進行中。這些問題影響到三星的 HBM3 晶片,該晶片是目前人工智慧圖形處理單元 (GPU) 最常用的第四代 HBM 標準,以及三星及其競爭對手正在推向市場的第五代 HBM3E 晶片。

三星未通過英偉達測試的原因首次被通報。

三星在給路透社的聲明中表示,HBM 是1款定制內存產品,需要“根據客戶需求進行優化流程”,並補充說,公司正在通過與客戶的密切合作來優化其產品。它拒絕對特定客戶發表評論。

英偉達拒絕置評。

3位消息人士稱,自去年以來,三星一直在努力通過輝達對 HBM3 和 HBM3E 的測試。據兩位知情人士透露,最近對三星 8 層和 12 層 HBM3E 晶片的失敗測試結果已於 4 月公佈。

目前尚不清楚這些問題是否可以輕易解決,但三位消息人士表示,未能滿足輝達達的要求增加了業界和投資者的擔憂,即三星可能會進一步落後於競爭對手 SK 海力士和美光科技在HBM 中。

三星官員向其中兩名消息人士介紹了此事,由於資訊屬於機密,因此消息人士要求匿名。

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