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HBM投片量估今年底占先進製程比重35%，DRAM產能恐遭排擠。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕研調機構集邦科技（TrendForce）指出，三大原廠開始提高先進製程的投片，繼記憶體合約價翻揚後，公司資金投入開始增加，產能提升將集中在今年下半年，其中，高頻寬記憶體（HBM）由於獲利表現佳，加上需求持續看增，生產順序最優先，但受限於良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產品，放大逾60%，所占投片比重高，以各家矽穿孔（TSV）產能來看，預估到年底HBM將占先進製程比重35%，其他則用以生產LPDDR5（X）與DDR5產品，在產能排擠的效應之下，DRAM產品恐有供應不及的可能性。
TrendForce預期，1alpha nm（含）以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%，HBM又最優先生產，以HBM最新發展進度來看，今年HBM3e將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士（SK hynix）是主要供應商，與美光（Micron）均採用1beta nm製程，兩家業者現已正式出貨給輝達（NVIDIA）；三星（Samsung）採用1alpha nm製程，預期今年第二季完成驗證，於今年中開始交付。
除了HBM需求占比持續增加，TrendForce表示，PC、伺服器、智慧型手機三大應用單機搭載容量增長，對於先進製程的消耗量也逐季提升，其中又以伺服器的容量提升最高，主要受惠於單機搭載容量1.75TB的AI伺服器所帶動。隨著Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量產後，記憶體規格僅能採用DDR5，預期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。
同時，由於HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬記憶體需求旺季，DDR5與LPDDR5（X）市場預期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言，在HBM投片比重擴大的情況下，將使得先進製程產出有限，下半年產能配置將是供給是否充足的關鍵。
TrendForce表示，三星現有廠房2024年底產能大致滿載，新廠房P4L規劃於2025年完工，同時Line15廠區將進行製程轉換，由1Ynm轉換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產能預計擴大，M15X規劃於2025年完工，並於明年底量產。美光台灣廠區將於明年恢復至滿載，後續產能擴張將以美國廠為主，Boise廠區預期於2025年完工並陸續移機，並計劃於2026年量產。
TrendForce表示，儘管三大原廠的新廠將於2025年完工，但部分廠房後續的量產時程尚未有明確規劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續擴大採購機台，預期將進一步形成三大原廠堅守記憶體價格今年的漲勢。此外，由於NVIDIA GB200將於2025年放量，其規格為HBM3e 192/384GB，預期HBM產出將接近翻倍，緊接著各原廠將迎來HBM4研發，若投資沒有明顯擴大，各家產能規劃皆以HBM為優先，在產能排擠的效應之下，DRAM產品恐有供應不及的可能性。
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