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HBM4的爭霸戰已開始，台積電率先展現在該領域的雄心。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕韓國中央日報19日報導，在三星與SK海力士為第5代高頻寬記憶體（HBM3E）的市場，全面開戰之際，爭奪號稱「改變遊戲規則」的下一代HBM4領導地位的戰爭也開始了，而台積電在這場爭霸賽中居於上風。
標題為「『我們也將吃下記憶體』台積電向三星宣戰：HBM4爭霸戰」的文章指出，從HBM4開始，邏輯半導體與記憶體之間的界線開始瓦解，IC設計公司、半導體代工廠以及記憶體公司之間開始爭奪領導地位，而台積電是率先顯露雄心的巨頭。
台積電本月14日在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上，首度揭露第6代HBM4細節。台積電宣佈正採用12奈米與5奈米製程，製造用於HBM4的基礎晶片，5奈米製程可被用來達成更高效能，該戰略即是依據客戶要求的效能，客製化HBM4。
HBM的製造是將DRAM晶片堆疊在作為基座的基礎（邏輯）晶片之上，然後將之垂直連結而成。一直到HBM3E，HBM的所有部份，包括基礎晶片都是由三星、SK海力士等記憶體晶片廠生產，然而從邏輯晶片與記憶體合併為一的HBM4開始，基礎晶片是由半導體代工廠製造，這是因為如果基礎晶片採用先進製程，可以包含更多運算功能。
在該研討會上，一名台積電高層首度承認他與SK海力士、三星與美光討論HBM4的發展，並表示，我們正與主要夥伴就HBM4的整合製程進行合作。台積電也補充，正升級其CoWoS先進封裝技術。
該文說，目前將邏輯晶片，比如圖形處理器（GPU）與HBM並排封裝的技術，將在幾年內發展成將HBM放在GPU之上，並立體垂直堆疊的高科技技術。對此，台積電近期宣佈一個新的尖端封裝技術進程計畫，並開始鞏固其壓倒性的優勢。據悉，輝達與超微已搶下台積電明年的先進封裝產線。
文章說，台積電是第一家突破HBM領導之牆的代工廠，直到現在，這是記憶體廠制霸的領域。在HBM4的發展上，台積電已宣佈與輝達、SK海力士合作，組成「3方同盟」，據此，SK將取得台積電生產的基礎晶片，並將DRAM堆疊其上，SK也因此宣佈將提早1年，於2025推出HBM4。
隨著台積電鎖定HBM市場，三星也逐漸升高戒備。在HBM3E的訂單戰中，三星尚未取得輝達的驗證。韓國一名半導體業者說，在HBM市場上，三星不僅與SK競爭記憶體龍頭地位，現在也與台積電競爭代工霸主地位，除非它放棄當中一個，否則必須在兩個領域都取得壓倒性優勢，才有可能在競爭中勝出。
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