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晶片製造將進入零度以下，南韓三星和SK海力士率先業界測試東京電子的低溫蝕刻設備，預計將其應用於400層NAND。（歐新社）
林浥樺／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕晶片製造將進入零度以下。《Tom's Hardware》報導，SK海力士（SK hynix）正在測試東京電子的低溫蝕刻設備的性能。消息人士指出，SK 海力士已將測試晶圓送至Tokyo Electron（TEL）實驗室測試，而不是裝在自家晶圓廠，這有助於SK海力士進行評估。
消息人士指出，SK 海力士將在321層NAND使用三層堆疊（triple-stack）結構。要蝕刻均勻性良好的深層記憶體通道孔是大挑戰，業界大都採用雙層堆疊甚至三層堆疊製造3D NAND，因蝕刻垂直孔相當困難。
據報導，TEL新型蝕刻設備可在-70°C超低溫高速蝕刻，與0至30°C 現有蝕刻設備不同，本設備用於氧化物蝕刻。TEL最新蝕刻設備可在短短33分鐘內完成10微米深高深寬比蝕刻，比現有工具快3倍以上，大幅提高3D NAND生產效率，這將有望重塑3D NAND設備的生產時間和產出品質。
SK 海力士採用TEL新型蝕刻設備後，未來可以較少堆疊層數製造400層以上3D NAND。據了解，SK 海力士目標是生產400層以上NAND，當使用更少堆疊封裝更多層數，在製程變簡單下，能使記憶體製造商降低成本。
三星則在自家晶圓廠測試TEL試用版。
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