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AI浪潮帶動，高頻寬記憶體（HBM）價格走揚。（示意圖，彭博）
〔記者洪友芳／新竹報導〕 根據集邦科技（TrendForce）指出，AI晶片相關產品帶動高頻寬記憶體（HBM）單機搭載容量擴大，因產能有限，第二季就開始提早進行2025年的HBM議價，供應商已初步調漲5~10%，預估2024年HBM占DRAM總產值將達逾20%，2025年占比有機會超過30%，較今年的8%成長逾一到二倍以上。
集邦科技資深研究副總經理吳雅婷表示，受惠於HBM銷售單價較傳統型DRAM高出數倍，相較DDR5價差更大約達五倍，加上AI晶片相關產品轉換到新世代，相關產品搭載容量擴大，估到2024年、2025年占DRAM總產值的比重將逐年攀升。
吳雅婷指出，今年第二季開始，已針對2025年HBM進入議價，不過受限於DRAM總產能有限，為避免產能排擠效應，供應商已經初步調漲5~10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。
供應商議價時間提早於第二季發生有3大原因：
1、HBM買方對於AI需求展望仍具高度信心，願意接受價格續漲。
2、HBM3e的TSV良率目前僅約40~60%，仍有待提升，加上並非三大原廠都已通過HBM3e的客戶驗證，HBM買方也願意接受漲價，以鎖定品質穩定的貨源。
3、未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應商的可靠度，以及供應能力產生價差，對於供應商而言，未來平均銷售單價將會因此出現差異，並進一步影響獲利。
展望2025年，由主要AI解決方案供應商的角度來看，HBM規格需求大幅轉向HBM3e，且將會有更多12hi的產品出現，帶動單晶片搭載HBM的容量提升。根據TrendForce預估，2024年的HBM需求位元年成長率近200%，2025年可望將再翻倍。
美光也加入供應高頻寬記憶體行列。（記者洪友芳攝）
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