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經濟部近期公告「化合物半導體設備發展推動計畫」，將鎖定協助業者加速開發8吋碳化矽設備技術。示意圖。（法新社）
〔記者廖家寧／台北報導〕經濟部產業發展署近期公告「化合物半導體設備發展推動計畫」，將鎖定協助業者加速開發8吋碳化矽設備技術，逐步建置我國化合物半導體設備的自製能量；另零組件採用國產的比例達80％，核定補助款可額外加碼最高20%。
產發署指出，碳化矽（SiC）化合物半導體具高硬度及高熔點特性，目前生產碳化矽晶圓所需的超高溫長晶設備，皆仰賴國外大廠，國內廠商雖已具備4吋及6吋化合物半導體長晶設備的研發與生產經驗，但是設備自製率、生產良率都偏低，除長晶設備，國內在晶圓加工、元件製作等製程設備皆仍存在技術瓶頸。
產發署表示，有鑑於國外碳化矽主導廠商已投入8吋碳化矽相關設備技術研發，因此協助國內潛力廠商加速部署8吋碳化矽設備技術是最急切的首要戰略目標，次要目標則是針對關鍵製程設備，輔以單點突破，逐步建置國內化合物半導體設備自製能力。
補助對象是針對國內化合物半導體下游產業「碳化矽元件製造產線」設備具整機開發能力的業者，提供設備研發或改造、整機系統整合、品質驗證及可靠度測試過程的費用補助，但須注意的是，提案前須提出 α-site 規格書及取得客 戶合作測試意願文件或訂單。
設備補助類型及規格分為B類及C類等兩類，其中B類是適用於 6、8 吋碳化矽晶圓通用的高溫離子佈植設備，該設備可操作製程溫度須≧500°C，且具備高能量（植入能量≧1MeV）或 高電流（植入電流≧20mA、植入後之離子濃度須達到≧1014 2 atoms/cm2 ）功能；補助經費以新台幣1億元為上限。
Ｃ類是適用於 6、8 吋通用的化合物半導體 in-line的晶片製程或上游晶錠加工設備，每案以單一企業提出申請，補助經費以新台幣3500萬元為上限，項目包括碳化矽半導體正面元件製程、晶背 BGBM 製程、離子佈植後高 溫熱處理等 in-line 產線需求之設備，以及上游碳化矽晶錠之切、拋、磨等加工設備等。
計劃申請期限是5月31日止，申請計畫的國產化零組件採用比例達設備成本80%以上者， 其獲准核定的補助款可額外加碼最高 20%，但補助案件的總補助款比例，不可超過申請計畫全案總經費50%。
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