晴時多雲

林本堅:半導體設備無法由單一個國家壟斷

2024/04/02 21:34

「台灣半導體日」論壇活動今在東京舉行,從左到右為台北市電腦公會副總幹事楊櫻姿、愛普董事長陳文良、力晶創辦人黃崇仁、國科會主委吳政忠、清大半導體研究學院院長林本堅、《晶片島上的光芒》作者暨今周刊顧問林宏文。(台北市電腦公會提供)

〔記者洪友芳/新竹報導〕前台積電研發副總經理、目前擔任清華大學半導體研究學院院長林本堅今指出,半導體科技已經進化到不是任何國家可以全部壟斷,因為半導體設備包括設計、光源、材料等等諸多不同關鍵技術,分布在美國、荷蘭、德國、日本、台灣、南韓等國家,無法由單一國家進行半導體科技壟斷。

台北市電腦公會、台灣先進車用技術協會、台灣物聯網產業技術協今於日本東京舉行「台灣半導體日」論壇活動,邀請力積電創辦人黃崇仁、林本堅、愛普科技董事長陳文良、《晶片島上的光芒》作者暨今周刊顧問林宏文等半導體產業專家,進行專題演講及現場座談,論壇吸引超過四百位日本產官學研等專業人士共同參與。

林本堅專題演講中表示,浸潤式微影和極紫外光微影技術,是量產個位數奈米半導體的關鍵,當製程從5微米到5奈米,走了21個技術世代,不僅把積體電路的週距縮小到千分之一以下,也把線路面積縮小到百萬分之一。在微影製程微縮的過程當中,搭配使用的曝光光源波長也越來越短,從汞燈光源(436奈米)一路縮小到極紫外光EUV(13.5奈米)。

林本堅指出,浸潤式微影技術是讓製程可以繼續微縮的關鍵之一。在2002年宣佈透過以水為介質的193奈米浸潤式微影技術。193奈米除以超純水的折射率1.44產生134奈米波長的光,可以提高解析度,突破157奈米乾式微影限制,並且沒有氟化鈣質和量的問題,不需要把光經過的空間充滿氮氣,也不需要研發157奈米可用的光罩保護膜,並且解決光阻吸收率與抗蝕刻率的問題。

他說,因浸潤式微影技術突破,讓半導體製程一路從65奈米微縮到45奈米,並且把摩爾定律延伸了6個世代(12年),從45奈米、28奈米、20奈米、16奈米、10奈米,延伸至7奈米世代。

林本堅指出,極紫外光微影暨浸潤式微影之後,把量產延伸到5奈米、3奈米及2奈米等世代,而且在繼續延伸之中。它的重點在把光的波長縮短到13.5奈米,以提高解析度。因波長劇烈地縮短所引出的各種困難已得到適度的解決,卻仍有許多可研發改進的機會。

林本堅在演說中並點出,半導體科技已經進化到不是任何國家可以全部壟斷,因為半導體設備包括設計、光源、材料、蝕刻、沉積、檢測、量產等不同關鍵技術,分布在美國、荷蘭、德國、日本、台灣、南韓等國家,所以是無法由單一國家進行半導體科技壟斷。

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