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知情人士透露，總部位於北京的北方華創科技集團3月開始曝光機系統的研究。（彭博）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕中媒南華早報指出，在美中科技戰中，中國在新技術上悄悄取得進展，以減少對先進ASML曝光機的依賴。
知情人士透露，總部位於北京的北方華創科技集團3月開始曝光機系統的研究，中國本土半導體工具製造商正在嘗試變通辦法，在沒有荷蘭巨頭ASML最新設備的情況下生產先進晶片，這項突破可能會實現，可能挫敗美國遏制中國晶片製造能力的企圖。
這些努力涉及中國半導體供應鏈的多個參與者，並已取得初步研究進展，華為上個月申請的專利揭示一種稱為SAQP的技術，該技術可以在矽晶圓上多次蝕刻線路，加倍提高電晶體密度和晶片性能。
彭博曾報導，透過將SAQP與ASML和尼康等日本供應商的深紫曝光機（DUV） 機器結合使用，中國可以製造複雜的5奈米級晶片，而無需ASML獨有的更先進的極紫外（EUV） 工具。
許多中國晶片工具製造商已成為減少中國對進口機器依賴的重要參與者。知情人士透露，北方華創科技集團去年12月制定了一項特別計畫後，自3月起就開始對曝光系統進行初步研究。
在美國制裁下，中國長達十年開發自己的曝光機努力遇到了障礙。國有的上海微電子裝備集團（SMEE）是中國唯一的曝光系統製造商，但在開發與ASML相媲美的機器方面還差得遠。2022年12月，上海微電子因國家安全問題，被美國列入貿易黑名單，這意味著該公司突破的可能性較小。
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