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人工智慧晶片競賽升溫，為追趕落後的進度，三星將使用SK海力士的晶片製造技術。（路透）
高佳菁／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕記憶體龍頭美光（Micron）2月底對外宣布，最新高頻寬記憶體HBM3E已正式量產，新產品將用於輝達今年第2季出貨的頂級H200 Tensor Core GPU。對於三星電子和SK海力士這兩家南韓晶片廠來說，是震驚的消息。為了加速追趕在HBM晶片裡落後的地位，市場傳出，三星電子計劃使用競爭對手SK海力士主導的晶片製造技術。
《路透》引述消息人士消息，三星電子在HBM晶片落後的原因之一，是堅持使用稱為非導電薄膜（NCF）的晶片製造技術，這會導致一些生產問題，而SK海力士則是以大規模回流模製底部填充（MR-MUF）方法，來解決NCF的弱點據。
幾位分析師表示，三星電子的HBM3晶片生產良率約為10%至20%，SK海力士的HBM3生產良率約為 60%至70%。為了加趕落後進度，三星電子最近發布了用於處理MUF技術的晶片製造設備的採購訂單，也正在與材料製造商進行洽談，其中包括日本長瀨。
1位消息人士稱，為了採購MUF材料，使用MUF的高階晶片的大規模生產，預計最快可能要到明年才能準備就緒，在此之前三星電子需要進行更多的測試。
三星計劃使用MUF技術，突顯了AI記憶體晶片競爭中，持續增長的壓力。根據TrendForce數據顯示，今年AI相關需求將帶動HBM晶片市場倍增，達到近90億美元（約新台幣2832.43億元）。
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