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中山大學產學合作獲5千萬研發經費，助攻次台灣半導體材料研究。（中山大學提供）
〔記者黃良傑／高雄報導〕半導體新興材料推陳出新，其中氧化鎵（Ga₂O₃）應用領域廣泛，中山大學晶體研究中心與科技公司簽訂「大尺寸氧化鎵晶體生長」專案合作契約書，企業挹注5千萬投入氧化鎵單晶塊材（Bulk Crystal）研究，目標3年內成功生產6吋氧化鎵單晶塊材，助攻台灣次世代半導體材料研發。
中山大學指出，近年來電動車、航太、通訊與能源應用受到全球矚目，市場對次世代化合物半導體材料的需求正高速起飛。中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，繼氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）後，另一寬能隙（wide bandgap）半導體材料氧化鎵（Ga₂O₃）成為明日之星。
氧化鎵各項性能指標有著更顯著的優勢，包括能承受更高電壓與臨界電場，電力損耗為矽的3400分之1、碳化矽的10分之1，材料透明、可導電的獨特性能，應用層面也更廣泛，涵蓋電動車、電力系統、風力發電、通訊領域、光電元件與光感和氣體感測器領域等，相當具前瞻性。
中山大學晶體研究中心剛獲第二期教育部深耕研究中心支持，也是唯一能生長次世代半導體碳化矽的實驗室，去年已成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材，技術轉移台灣應用晶體公司及其所屬集團，產學持續合作。
中山大學晶體研究中心過去也曾生長出直徑40mm（約1.5吋）的氧化鎵單晶塊材，未來3年將在關鍵技術上努力突破。憑藉多年長晶經驗，也設計長晶設備，長晶爐均由中山大學創新育成中心孵化的企業製造，包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100%MIT，目前已有4台6吋碳化矽長晶爐與1台8寸碳化矽長晶爐。
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