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工研院與晶圓製造龍頭台積電合作，雙方攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體。（工研院提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕因應人工智慧、5G需求新世代記憶體，工研院與晶圓製造龍頭台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用記憶體內運算，功耗僅為STT-MRAM的百分之一，成果領先國際，未來此技術可應用於高效能運算（HPC）、人工智慧及車用晶片等。
工研院電光所所長張世杰指出，工研院和台積電繼去年在全球半導體領域頂尖的「超大型積體技術及電路國際會議」共同發表論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10奈秒（ns）高速工作等優點的SOT-MRAM單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫MRAM已往以記憶體為主的應用情境，雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023。
工研院表示，該院致力推動國內半導體市場開啟新興應用，擘畫《2035技術策略與藍圖》作為研發方向，在「智慧化致能技術」應用領域，研究發展非揮發性記憶體創新技術，期望開拓新記憶體市場的新星，協助國內產業界，發展高價值的技術與產品。
補助工研院此科專計畫的經濟部產業技術司表示，隨著AI 、5G與AIoT時代的來臨，需要快速處理大量資料，因此更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為重要的關鍵。經濟部支持產業與相關法人建立深厚的前瞻記憶體研發能量，期待技術成果可以逐步在產業落實。這次藉由工研院與台積電雙方共同合作，強強聯手，發表重要研發成果，引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群，以維持臺灣半導體的國際競爭優勢。
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