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ASML員工在總部工廠的High NA EUV設備前合影。（路透社）
陳麗珠／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕艾司摩爾（ASML）首台最新型「High-NA EUV」（高數值孔徑極紫外光微影系統）買家，由英特爾搶到頭香，預計2025年開始以這款最新設備生產先進製程晶片。台積電何時採用備受關注，傳出台積電計畫2030年或以後才用採用「High-NA EUV」。
知名科技網站《Tom's Hardware》報導，英特爾收到ASML第一台最新型高數值孔徑 EUV ，接下來幾年間，英特爾將此系統部署到18A後的節點（1.8 奈米製程）。相較之下，台積電似乎並不急於在短期內採用高數值孔徑 EUV ，中國華興資本董事總經理吳思浩（SzeHo Ng）研判，台積電約在2030年或以後才會趕上這一潮流。
SemiAnalysis 和華興資本的分析師認為，使用高數值孔徑 EUV的成本，可能比使用Low-NA EUV更高，至少在初期是如此，這就是為什麼台積電暫時不會傾向使用它的原因，以便確保低成本，即使代價是生產複雜性和可能較低的晶體管密度。
報導研判，英特爾希望透過高數值孔徑 EUV，領先台積電及三星，以確保戰略利益。因此，倘若台積電真如華興資本的說法，在2030年或以後（即比英特爾晚到4-5年）才會採用高數值孔徑光刻技術，如何保持製程技術領先地位，令人關注。
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