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台積電制定提供包含1兆個電晶體的晶片封裝計畫，這將來自於單一晶片封裝上的3D封裝小晶片集合。（取自網路）
〔記者吳孟峰／綜合報導〕在國際電子元件會議（IEDM）會議上，台積電制定了提供包含1兆個電晶體的晶片封裝計畫，這些龐然大物將來自於單一晶片封裝上的3D封裝小晶片集合。而台積電也致力於開發在單晶片矽（single piece of silicon）上包含2000億個電晶體的晶片。
Tomshardware報導，為了實現這一目標，台積電重申正在致力於2奈米級N2和 N2P生產製程，以及1.4奈米級（A14）和1奈米級（A10）製造技術，預計將於2030年完成。
此外，台積電預計封裝技術（CoWoS、InFO、SoIC 等）將取得進步，使其能夠在2030年左右，建造封裝超過1兆個電晶體的大規模多晶片（ multi-chiplet）解決方案。
輝達的800億個電晶體GH100是市場上最複雜的單晶片處理器之一，根據台積電的說法，很快就會有更複雜的單晶片，擁有超過1000億個電晶體。但建造如此大型的處理器變得越來越複雜和昂貴，因此許多公司選擇多晶片設計。
近年來，由於晶片製造商面臨技術和財務挑戰，先進製程技術發展放緩。台積電與其他公司面臨同樣的挑戰，但台積電仍有信心，也準備陸續推出2奈米、1.4奈米和1奈米製造。據台積電稱，這種趨勢將持續下去，幾年後，我們將看到由超過1兆個電晶體組成的多晶片解決方案。但同時，單晶片將繼續變得複雜。
英特爾執行長季辛格日前也分享他對半導體未來的見解，並稱摩爾定律並不完全是一條定律，而是一種在過去幾十年來一直在放緩，以至於現在每3年就會發生一次「翻倍」 。為應對維護摩爾定律日益增加的難度，英特爾將在未來幾年內推出許多革命性技術。季辛格稱，靠著關鍵創新將使英特爾能夠在10年實現1兆電晶體晶片。
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