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長江存儲指控美光侵犯8項專利。（路透資料照）
〔財經頻道／綜合報導〕中國晶片製造商長江存儲（YMTC）11月9日在美國加州北區聯邦地方法院，向美國競爭對手美光（Micron）提起訴訟，指控美光侵犯8項專利。訴狀稱，美光利用這些專利技術，來對抗長江存儲的競爭，並藉此獲得、保護自己的市佔，也沒有支付合理的費用來使用這些專利。
長江存儲聲明指出，雖然目前無法討論未決訴訟的具體細節，但證實，長江存儲近期已向加州地方法院提出訴訟，指控美光侵犯公司與3D NAND（儲存型快閃記憶體）設計、製造和銷售相關的專利。長江存儲發言人表示，公司致力於追求進步和產品創新，同時也堅定的保護自身的智慧財產權，有信心這一案件能盡速解決。
長江存儲11月9日在美國加州地方法院，向美光提起訴訟。（圖擷自長江存儲官網）
中國宣稱 記憶體已領先全球
美光被控侵權的產品包括96層、128層、176層及232層3D NAND。長江存儲在訴狀中稱，公司已經不再是記憶體領域的新秀，而是全球3D NAND市場的要角。並指出，加拿大產業研究公司TechInsights先前報告得出結論，長江存儲是3D NAND快閃記憶體領域的領導者，超車美光。
中國分析師表示，長江存儲最新的行動，是中國記憶體晶片企業正式對美國晶片商發起反擊的重要事件，也代表中企在記憶體晶片領域「領先全球」，完全擺脫美國制裁。
以兩家公司的技術來看，長江存儲在2018年量產了第一代32層3D NAND，2020年研發出128層3D NAND產品，並在去年8月宣佈推出232層3D NAND，但隨後在2022年10月，美國政府公佈出口管制，限制晶片製造設備出口中國；美光則是市場長期公認的3D NAND技術領導廠商，2020年量產176層3D NAND，並在2022年推出232層3D NAND。
長江存儲自稱是3D NAND快閃記憶體的領導者，技術超越美光。（圖擷自長江存儲官網）
美光在中國市場比重 迅速殞落
中國曾是美光最大的市場，美光2017會計年度營收為200億美元（約新台幣6300億元），其中半數來自中國。到了2022年，美光在中國市場銷售額縮減33億美元（約新台幣1039.5億元），佔整體比重剩11％。美光在當時的年報中曾提到，北京可能會出手限制美光參與中國市場，或是可能阻止美光與中企進行有效的競爭，美光也在同年關閉了上海的DRAM（動態隨機存取記憶體）業務。
近年來，美國以國安為由，擴大了向中國出口晶片製造技術的限制，長江存儲也被列入出口黑名單。作為對美方的反擊，中國當局在今年3月底宣佈對美光的產品進行網路安全審查。中國5月表示，美光產品並未通過安全審查，並禁止關鍵基礎設施營運商購買美光產品。
專利訴訟纏鬥將近5年時間，聯電和美光在2021年底宣佈達成全球官司和解協議。（資料照）
中國曾與聯電合作開發DRAM 遭美光控侵權
中國過去因缺乏DRAM技術，2016年找上聯電（2303）與福建晉華合作，共同開發DRAM製程，由福建晉華出資，委任聯電在南科廠開發製程技術，後移轉給晉華量產，當時也延攬多名原任職美光的主管、工程師跳槽。雖然聯電和福建晉華的合作，因美中科技戰被迫中止，卻也掀起後續的官司戰。
美光在2017年底控告晉華和聯電，透過挖角前美光員工竊取公司晶片設計；隔年晉華和聯電則在中國反告美光專利侵權，2018年7月美光在福建法院敗訴，當時美光被禁止在中國銷售26種產品。後來，美國商務部也以經濟間諜罪起訴晉華、聯電。
在訴訟纏鬥將近5年時間後，2021年底，美光與聯電共同宣佈，達成全球官司和解協議，各自撤回向對方提出的訴訟，隨後也擴大雙方業務合作關係，
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