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美國收緊晶片設備出口管制，禁止艾司摩爾對中國出口Twinscan NXT1980Di深紫外光機。（路透）
首次上稿 11/06 23:46
更新時間 11/07 06:35
〔編譯魏國金／台北報導〕南華早報報導，儘管中國在半導體自主目標上近期取得進展，但美國政府升高出口管制，鎖定較不先進的曝光機，暴露中國晶片生產設備的缺陷。
報導說，拜登政府以國安疑慮為由，收緊去年10月發布的出口法規，以期透過切斷中國從艾司摩爾（ASML）取得較不先進的晶片生產設備，以及從輝達取得數據中心晶片，來阻絕中國的人工智慧發展。
在美國商務部工業安全局長達121頁詳述新版晶片設備出口管制的文件中，廢除了適用於特定曝光機的「微量原則」（De minimis Rule），該原則設定的實際門檻高於荷蘭政府6月公佈的出口規範，此舉將限制荷商艾司摩爾向中國出口包括Twinscan NXT1980Di在內的深紫外光機（DUV）。
市場分析公司Counterpoint Research分析師王哲宏（Brady Wang）指出，如果中國沒有可用的在地替代設備，而1980Di又被排除在外，「將重創先進以及成熟節點」。
微量原則賦予華府對於任何非美公司生產的產品，若包含至少25%美國原產技術，有長臂管轄權力。然而，對該法規最新的調整，基本上使美國原產技術的比例無關緊要。
中國國銀律師事務所Dennis Lu說，「這意味光刻機（曝光機）系統，包括艾司摩爾與其他公司生產的設備，一旦達到美國特定參數，無論美國原產技術比例多少，都將受到美國出口管制規範」。
艾司摩爾2015年推出的1980Di已成為許多中國晶圓廠的主力設備，其每小時可處理275片晶圓，從40奈米成熟製程到先進的次10奈米（sub-10-nm）晶片都能夠處理，根據消息人士提供的文件，美國最新版出口管制文件已刪除對次10奈米技術的提及。
中國維科網也指出，1980Di將是荷蘭出口禁令的最後漏洞，因為1980Di是目前中國能買到最先進的曝光機，其他比1980Di先進的都無法購買，在實際應用中，1980Di可用於生產7奈米晶片，據悉台積電的第一代7奈米製程就是基於1980Di實現的，之後才升級使用極紫外光機（EUV）。
該報導說，1980Di是美國晶片管制唯一的漏洞，因為這台曝光機最高可支持7奈米製程，因此多數情況下也能生產28奈米、14奈米晶片，中國先進晶片的生產沒有完全被卡死。
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