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三星矢言要在2027年推出1.4奈米晶片製造，超越台積電和英特爾代工服務，也對在2025年生產2奈米晶片充滿信心。（歐新社）
〔財經頻道／綜合報導〕南韓三星電子近期矢言要在2027年推出1.4奈米晶片製造，超越台積電和英特爾代工服務，也對按計劃在2025年生產2奈米晶片充滿信心。知名電子媒體EDN報導，三星承諾量產1.4nm晶片大約需要4年時間，在此期間可能會發生很多事情。
三星1.4nm和2nm晶片都將採用今年發布的3nm晶片上率先採用的環繞式閘極（GAA）技術來製造。而對手台積電和英特爾將在2奈米製造從Fin場效電晶體（FinFET）過渡到GAA電晶體，分別於2025年和2024年商業量產。
在另一項重大設計改革中，三星計劃在1.4奈米製造中加入額外的奈米片，將奈米片的數量從3個增加到4個。由於每個電晶體有更多的奈米片，1.4奈米晶片將增強開關能力和運行速度。此外，更多的奈米片將更好地控制電流，從而產生更少的熱量並減少漏電流。GAA電晶體透過在比finFET更小的電晶體中實現更高的速度來解決FinFET的限制。
三星長期以來在晶片製造一直落後台積電，儘管如此，這仍然表明三星正全力參與競賽，並在大型晶圓廠的競爭中與台積電較勁。
三星是第一個實施GAA電晶體的公司，然而，在不斷向更小製程進軍的過程中，一直輸給台積電和英特爾。現在，GAA在1.4製程上的突破提供了落後台積電的喘息空間。在台積電持續強化研發和擴點製造下，三星挑戰王者的目標仍有很大的難度。
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