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三星代工廠表示，即將推出的SF1.4（1.4奈米級）製程技術將把奈米片的數量從3個增加到4個。（美聯社）
〔財經頻道／綜合報導〕三星1.4奈米製程的首批細節曝光！根據DigiTimes報導，三星代工廠副總裁Jeong Gi-Tae告訴媒體The Elec，三星表示，即將推出的SF1.4（1.4奈米級）製程技術將把奈米片（nanosheet）的數量從3個增加到4個，此舉可望為晶片性能和功耗帶來顯著的好處。
三星是第一家在2022年中期推出全環柵奈米片電晶體（GAA） 製程技術的公司，即SF3E（3奈米級環柵）。三星使用這項技術製造各種晶片，但據信僅限於微型晶片，例如用於加密貨幣挖礦的晶片。明年，三星計劃推出SF3技術，預計將被更廣泛的應用領域採用。三星計劃在2025年推出效能增強型SF3P技術，該技術專為資料中心CPU和GPU設計。
同時在2025年，三星也預計將推出SF2（2奈米級）製造，而基於GAA的SF3E後三星生產的最大改革將發生在2027年，屆時三星的SF1.4技術，將透過將奈米片數量從3個增加到4個。
報導指出，增加每個電晶體的奈米片數量可增強驅動電流，從而提高性能。更多的奈米片允許更多的電流流過晶體管，增強開關能力和運行速度。
此外，更多的奈米片可以更好地控制電流，有助於減少漏電流，從而降低功耗。此外，改進的電流控制也意味著電晶體產生的熱量更少，從而提高功率效率。
英特爾和台積電分別計畫於2024年和2025年開始使用GAA電晶體及其20A和N2（2奈米級）製程技術。當這兩家公司推出以上奈米片的製程時，三星將在環柵晶體管方面擁有豐富的經驗，這可能對三星代工廠有利。
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