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今年八月初于美國矽谷舉辦的全球快閃記憶體高峰會上，來自台灣的美籍華人許富菖所創建的NEO Semiconductor，在高峰會上發表了一項革命性的全新3D DRAM（動態隨機記憶體技術，獲得大會的”最具創新記憶體技術獎”。（業者提供）
〔記者高嘉和/綜合報導〕今年八月初于美國矽谷舉辦的全球快閃記憶體高峰會上，來自台灣的美籍華人許富菖所創建的NEO Semiconductor，在高峰會上發表了一項革命性的全新3D DRAM（動態隨機記憶體技術，叫做3D X-DRAM，並獲得大會的評審委員所肯定，獲得大會的”最具創新記憶體技術獎”（the “Best of Show” award for the Most Innovative Memory Technology ）。此獎項表揚此創新將改變高性能記憶體在產品中使用方式，並提高性能、可用性、耐用性和可擴展性。
世界級大廠參與 僅18個獎項
快閃記憶體高峰會是全球最大的記憶體領域發表會，此高峰會展示了推動數十億美元的非易失性存儲器和SSD市場的主流應用，關鍵技術，領先廠商和創新型初創公司。所以其標示的趨勢，創新和先驅者引領著閃存在需求性的企業存儲，高性能計算和雲系統中的採用。自2021年以來，更增加DRAM主題，以便包含大部分的記憶體領域。參加會議者超過6千人，上百家世界級大公司參與，只有18個奬項，競爭非常激烈，對於一家小公司，這個奬項得來實屬不易。
獎項計劃主席兼網路存儲顧問公司總裁Jay Kramer在頒獎中説道，”近年來DRAM技術的擴展能力已大幅放緩，但對可以處理人工智能、機器學習和大數據等工作負載的高性能計算機分析，創造了對比現在多得多的DRAM的巨大需求” ，”NEO Semiconductor 的3D X-DRAM 解決方案，是世界上第一個類似3D NAND的DRAM單元陣列，可減少DRAM產品所需的芯片數量，並具有增加容量的能力”。
在5G、6G和人工智能新世代的來臨，新的科技應用發展無遠弗屆，對DRAM的需求將會越來越大。现在市場需求量為950億美元，放眼全球的DRAM市場，可以發現DRAM是一個極為寡占的市場，全球前三大龍頭廠，分別是韓國三星電子、韓國海力士、和美國美光科技，總共就囊括了大約九成五的市佔率。
3D X-DRAM架構 解決容量擴展難題
在如此龐大的市場中，卻有一個隱憂，就是DRAM單晶片因架構上不易擴展其容量，在2018年推出16Gb之後，到目前為止容量尚未有進一步的擴展，因此價格不易降低。所以過去幾年，各大廠商一直在研發將二維的2D DRAM提升至三維的3D DRAM，可惜一直未能突破困境。此次NEO發表的3D X-DRAM單元陣列架構，得到業界的熱烈迴響和極大的好評，紛紛寄以厚望，認為可以用此新技術來解決DRAM長期以來容量不易擴展的問題。容量增加了，自然芯片的生產成本就降低。
NEO創辦人兼首席執行長許富菖，在近期返台省親並走訪一些相關產業公司，他提及於2012年和一群團隊在加州聖荷西創辦NEO，其中的艱辛過程是靠著團隊合作和堅持所經歷過來，NEO是一家專注於3D NAND快閃記憶體，DRAM，和3D新興存儲器的新興公司。該公司目前在設計架構和單元結構方面擁有20多項美國專利。他表示，NEO很榮幸也很感激獲得這一享有盛譽的獎項，並且感謝整個NEO團隊為使這突破性技術成為現實所付出的辛勤工作和奉獻精神。
3D X-DRAM是全球第一個類似3D NAND的DRAM, 是基於當今的3D NAND快閃記憶體工藝，無需開發新的製程，這將大大降低風險，並節省大量的開發時間和成本。通過使用目前的230層，可以將DRAM密度提高8倍，相對目前16Gb, 可以增加達到128Gb。而且未來可以通過推疊更多層，而使得容量不斷增加。這可以為CPU和GPU提供大量的近端記憶體,以解決當今人工智能系統的瓶頸。許富菖執行長深信 3D X-DRAM將徹底改變未來的計算機儲存系統，並開啟一個全新的產品和應用程序的世界，迄今為止，這是不可能的，3D X-DRAM將在其中發揮關鍵作用，以當前蓬勃發展的人工智能時代，需要這種高密度和高速存儲器來處理人工智能。
該公司的3D X-DRAM技術在今年大放異采，成為記憶體行業的先驅者，為未來DRAM發展趨勢，做出重大突破，，能夠解決容量擴展問題瓶頸，並推動市場突破2D DRAM的限制。
該公司在過去幾年間，不斷地在記憶體架構上取得重大的進展。在2018年，該公司推出名為X-NAND的技術，在3D NAND設計架構取得重大突破。 X-NAND可以使TLC和QLC NAND的速度達到和SLC NAND的速度一樣。這為5G、6G、AI和許多應用程序提供了高速，低成本的解決方案。公司在2020年于快閃記憶體高峰會上發表了此項新技術，獲得大會”最具創造力的新創公司獎” （the Most Innovative Flash Memory Startup Award）。
緊接著該公司在2022年，于快閃記憶體高峰會，推出X-DRAM技術，這項新的DRAM架構，可以提供全球最低功耗的DRAM。並同時發布新的讀寫操作技術，增加第二代X-NAND的速度功能。此卓越的成就，再度獲得大會的”最具創新記憶體技術奬”（the Most Innovative Memory Technology）。
連續3屆得獎 尋求授權合作機會
NEO連續三屆都得到快閃記憶體高峰會給予最具創新記憶體技術獎的肯定，不論在NAND Flash或者DRAM都有很大的技術突破，對未來科技應用會產生深遠的影響。因此引起了業界強烈的關注和接觸，目前公司正在尋求和世界各大廠商洽談專利授權和合作開發。
最後許富菖執行長表示此行返台拜會一些業界前輩，聆聽他們的寶貴經驗和對半導體產業的分析，收獲非常豐碩，也受到很大的鼓舞。他繼續談到公司未來業務發展的可能性，公司擁有獨步全球的新技術專利，並為記憶體業界專家所認可。這些專利是用來解決NAND Flash 和DRAM現在或者未來所遇到的瓶頸和極限。在NAND Flash領域方面，為了增加容量，每一代增加儲存單元所存的位元數目，其缺點是讓讀寫速度每一代相對下降，NEO提供的技術是將多位元速度提升至一個位元的速度，改進產品的功能而不會增加芯片的價格。至於DRAM所遭遇的容量不易擴展的困境，NEO所提供的解決方案，在之前已經談過了。
總體而言，未來科技市場對此兩大記憶體的需求，將會有極大的成長。所以目前NEO的策略是跟有興趣的公司洽談專利授權和合作開發產品。有關這方面商業機密，我不能透露。然而這兩大產業的目前市場有1500億美元，是由前五大記憶體製造商所獨佔，各大公司為了市場佔有率，為了巨大的利益，想盡各種辦法來提升產品的功能和品質，這也正是NEO發展的機會。
許富菖執行長衷心的希望NEO所取得的成果，能夠為台灣的半導體產業注入新的活力和啓發，也期望和台灣的相關產業公司有相互合作的機會，尤其是在DRAM方面，NEO所提供的專利是全球首創，用類似3D NAND的製程，來製造3D DRAM，等於打破過去其他DRAM公司的專利限制，只要有相互合作的共識，台灣的記憶體產業是有很大的機會，在全球記憶體市場佔有一席之地。
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