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聯電去年研發費用130億。（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工廠聯（2303）董事長洪嘉聰表示，聯電去年投注研發費用達新臺幣130億元新高，持續開發 5G 通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等應用所需的製程技術，達成多項重要成果，除了28奈米HPC+高效能運算影像訊號處理器 （ISP） 技術成功導入量產；22奈米 25V高壓的低溫多晶氧化物面板 （LTPO OLED） 顯示驅動晶片產品已完成驗證，預計於今年導入試產。
洪嘉聰在公司年報中指出，28HPC+高效能運算影像訊號處理器 （ISP） 技術，已應用於當前業界最高階的2億畫素行動影像感測器及最小尺寸畫素的產品，並成功導入量產。
此外，聯電在28HPC+ 毫米波 （mmWave） 解決方案已通過驗證，適合應用於高速毫米波設備，可支援高達110GHz 的電路設計應用。在 22奈米製程平台架構下，已順利建置完成車用Grade-1 平台設計規範，並完成可靠度及耐久性驗證。22奈米影像訊號處理器 （ISP） 技術目前已完成元件模型與設計規範以及相關矽智財的建置。14 奈米（14FFC） 製程技術已可廣泛應用在各種邏輯/類比/混合訊號/射頻技術等高端電子產品上。
在特殊技術製程方面，洪嘉聰指出，聯電領先業界運用12 吋晶圓生產 RFSOI，全球市占率已達 18%。22 奈米 RFSOI 目前已進入開發階段，前瞻佈局未來應用於40GHz 以上的市場提供從180 奈米至 22奈米的 eNVM 特殊製程與相關 IP配套方案，應用於物聯網、車用電子、工業控制及各種 3C 產品。22奈米磁阻記憶體 （MRAM） 製程應用於航太的高密度 1Gb 晶片產品已進入試產階段。
聯電在 LCD 螢幕的顯示驅動晶片 （DDI） 市占率排名全球第一，也是首家提供28奈米 OLED DDI 製程進行量產的晶圓代工廠。22奈米 25V 高壓的低溫多晶氧化物面板 （LTPO OLED） 顯示驅動晶片產品已完成驗證，預計於今年導入試產。BCD 製程可提供電源管理晶片 （PMIC）所需的各種高壓運作能力，0.11微米嵌入非揮發性記憶體 BCD 功率積體電路技術平台的 PMIC 製程技術已完成元件模型、設計規範，以及車用平台的矽智財建置。3D-IC 晶圓級直接鍵合 （W2W hybrid bonding） 技術，已完成客戶的產品驗證，預計於今年導入試產
洪嘉聰表示，聯電未來仍將持續深耕差異化的特殊製程技術、產地多元化的製造能力，並深化與關鍵客戶的關係，期能持續以前瞻性的永續佈局，創造最大股東價值。
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