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世界先進今（22）日宣布，8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）針對快充產品，已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產。（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工廠世界先進（5347）今（22）日宣布，該公司的8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）針對快充產品，已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。
世界先進表示，公司於2018年以Qromis基板技術（QST TM ）進行8吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發，經過4年左右，今年第1季開發完成，並於第4季成功量產，世界先進公司同時已和海內外整合元件製造（IDM）廠及IC設計公司展開合作。
世界先進指出，QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實現量產。
世界先進公司的0.35微米650 V GaN-on-QST製程，能與公司既有的8吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。根據客戶端的系統驗證結果，世界先進提供的氮化鎵晶圓於快充市場的應用上，針對65W以上的快充產品，其系統效率已達世界領先的水準。
此外，基於QST基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進表示，該公司提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。
世界先進公司營運長尉濟時表示，世界先進的0.35微米650 V GaN-on-QST製程具備效能及可靠性優勢，不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇，也協助提升客戶產品的競爭力。世界先進的0.35微米650 V GaN-on-QST製程除了650 V的元件選擇之外，也提供內建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設計選擇。針對更高電壓（超過1000 V）的擴充性，世界先進公司也已經與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產品需求。
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