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三星拚先進半導體增2倍 邁向1.4奈米晶片

2022/10/04 17:01

三星預計2025年開始生產2nm晶片,2027年開始大規模生產1.4nm晶片。(示意圖,法新社資料照)三星預計2025年開始生產2nm晶片,2027年開始大規模生產1.4nm晶片。(示意圖,法新社資料照)

〔財經頻道/綜合報導〕全球第二大半導體晶片製造公司三星在2022年三星代工論壇活動宣布,將不斷改進半導體晶片,使其更小、更快、更節能,並宣布將製造2nm(奈米)和1.4nm晶片的計劃,預計2025年開始生產2nm晶片;2027年開始大規模生產1.4nm晶片,但尚未透露 1.4nm的預期改進細節。

三星電子宣布計劃到2027年將其先進半導體的產量增加兩倍以上,包括1.4奈米晶片。

2025年開始生產2奈米晶片

三星第二代和第三代3nm GAA晶片晶體管尺寸更小,效率更高。幾個月前,三星代工廠開始大規模生產全球第一款採用GAA技術的3nm晶片(SF3E)。GAA是對基本晶體管設計的徹底改造,這種設計僅在幾年內發生一次。公司承諾在這項技術的幫助下大幅提高能效。三星計劃到2024年推出第二代3nm半導體晶片(SF3)。

三星表示,第二代3nm晶片的晶體管將比第一代3nm小20%。這將為智慧手機、個人電腦、雲端服務器和可穿戴設備帶來更小、更節能的晶片。

三星計劃通過SF3P+工藝進一步提升3nm晶體管製造技術,並在2025年開始量產2nm晶片。公司已經證明可以量產GAA晶片,其第二代和第三代GAA晶片可以吸引一些在過去的幾年裡被台積電拉走的大客戶。

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