晴時多雲

看好第3代半導體 國科會核准鴻鎵科技投資2億

2022/08/11 19:46

國科會今日核准鴻鎵科技中科分公司投資案,投資額總計新台幣2億元。圖為中科管理局。(記者林旻臻翻攝)

〔記者林旻臻/台中報導〕國家科學及技術委員會今日召開科學園區審議會第1次會議,會中通過積體電路鴻鎵科技股份有限公司中科分公司投資案,投資額總計新台幣2億元。

鴻鎵科技股份有限公司中科分公司設立於中部科學園區的台中園區。國科會指出,本案投資金額約為新台幣2億元,研製第3代半導體─氮化鎵功率磊晶片及氮化鎵功率電晶體等產品,鴻鎵科技除自有技術外,並獲日本NTT-AT技轉磊晶技術,從晶片到終端產品,設計、生產、銷售結合多家廠商一貫作業,產品應用於太陽能儲能、新能源車、工業自動化及5G高頻通信等產業,有利於促進中台灣形成高科技產業聚落。

研調機構集邦科技(TrendForce)研究預估,氮化鎵功率元件主要應用為消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,2020至2025年複合成長率高達78%,具有相當市場潛力。

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