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美光科技控告聯電幫中國晉華竊取先進DRAM製程等機密案，二審智慧財產及商業法院合議庭今日將原判決撤銷。（資料照）
〔記者王定傳／新北報導〕美光科技控告聯電幫中國晉華竊取先進DRAM製程等機密案，前年間，一審台中地院依違反營業秘密法，判處聯電協理戎樂天及帶槍投靠聯電的台灣美光前主管何建廷、王永銘4年半至6年半不等徒刑，聯電亦被判處罰金1億元，上訴後，二審智慧財產及商業法院合議庭今日宣判，將原判決撤銷，改判戎樂天無罪及公訴不受理、何建廷及王永銘6個月至1年不等徒刑，均緩刑，聯電處以罰金2千萬元，但緩刑2年。
一審台中地院判處戎樂天6年6個月，併科罰金600萬元，何建廷5年6個月，併科罰金500萬元，王永銘4年6個月，併科罰金400萬元，聯電處以罰金1億元；二審智慧財產及商業法院合議庭改判戎樂天無罪及公訴不受理、何建廷1年徒刑，罰金100萬元，緩刑4年、王永銘6個月徒刑，罰金100萬元，緩刑2年，聯電處以罰金2千萬元，緩刑2年，仍可上訴。
根據一審判決認定，本案起因於2016年間，聯電與中國晉華協議進行32奈米DRAM及32S奈米DRAM相關製程技術開發，晉華則提供聯電資金採購研發設備，開發成果由雙方共同擁有，整體技術完成後將轉移至晉華公司進行32奈米DRAM及32S奈米DRAM量產。
聯電為此合作案，在台南市科學園區成立「新事業發展中心（NBD）」，由前台灣美光公司董事長、當時的聯電公司資深副總經理陳正坤負責主導，並指派戎樂天擔任專案技術二處（PM2）部門協理，陸續招募原在台灣美光公司量產整合部課長的何建廷與品質工程部副理王永銘加入。
一審認定，何建廷雖早在2015年10月就從台灣美光離職，但離職前，利用職務機會，從台灣與美國美光公司伺服器下載美國美光的DRAM製程營業秘密，另持有一部份美國美光營業秘密的紙本，同年11月「帶槍投靠」聯電，擔任製程整合一部經理時，除了把紙本資料帶進辦公室外，亦把從台灣美光帶來的電磁營業秘密重製放入聯電配發的筆電中。
至於王永銘則在2016年間，透過何建廷向聯電遞交履歷，獲得錄取後，從台灣與美國美光伺服器中，取得屬於美國美光公司DRAM製程營業與工商秘密，上傳至Google Drive網路雲端硬碟備份。
一審認定，王永銘隨後投奔聯電懷抱，擔任專案技術二處元件部技術經理一職，並應戎樂天要求，將「DRAM設計規則」檔案印出，幫助聯電公司完成F32 DRAM設計規則，並降低設計規則所需耗費的時間、金錢、設備及人力成本，王亦因工作表現得力，於2017年1月間晉升Device經理。
美國美光及台灣美光事後提告，前年6月間，一審台中地院判處何、王、戎3人有罪，聯電亦判處罰金新台幣1億元；同年10月間，美國司法部起訴聯電違反營業秘密案，美國北加州聯邦地方法院判決確定，聯電承認侵害一項營業秘密，同意罰6千萬美元（約新台幣17.3億元），並緩刑3年，換取與美國司法部合作的和解協議。
去年11月，聯電與美光更共同宣布，雙方達成全球和解協議，將各自撤回向對方提出的訴訟，聯電將向美光一次支付金額保密的和解金。至於戎樂天、何建廷、王永銘及聯電涉嫌違反營業秘密法部分，無法撤告。
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