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旺宏電子總經理盧志遠也指出，碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）被稱為「第3代半導體」？原來是中國發明的名詞，他認為，台灣不應跟著中國起舞，將化合物半導體跟進稱為「第三代半導體」，應該回歸國際通稱為化合物半導體。（旺宏提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）化合物半導體元件躍為當紅炸子雞產業，工研院電光所所長吳志毅表示，中國近幾年砸大錢，由國家政策大力補助發展電動車、建構化合物半導體產業鏈，並將化合物半導體另取名為「第三代半導體」，因中國在第1代、第2代發展落後國際，企圖在第3代半導體急起直追，希望躍為領導者，他建議台灣產官學界應將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）正名為化合物半導體，不應跟著中國喊為「第3代半導體」。
旺宏電子總經理盧志遠也指出，他覺得很奇怪，碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）化合物半導體元件並不能取代原來以矽為主的半導體，但為何被稱為「第3代半導體」？他感到很不解，經過一番研究，原來「第3代半導體」是中國發明的名詞，他認為，台灣不應跟著中國起舞，將化合物半導體跟進稱為「第三代半導體」，應該回歸國際通稱為化合物半導體。
吳志毅表示，化合物半導體早於40、50年前就已開始發展，像美國紮根逾30年，最大的碳化矽（SiC）廠商科銳（Cree），30年前就從國防工業例如戰車高功率晶片切入化合物半導體領域。比起矽材料，化合物半導體具備高速、高頻、耐高電壓的性能，尤其被視為第3代半導體的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN），看好應用在高頻無線通訊5G、高功率轉換的電動車。
吳志毅指出，目前化合物半導體市場尤其是技術難度高、用在電動車為主的碳化矽（SiC），約有90%由歐美日佔據，韓國、中國近年來透過政策砸大錢補助起步急追，其中，中國近幾年更砸大錢，由國家政策大力補助發展電動車、建構化合物半導體產業鏈，並將化合物半導體另取名為「第3代半導體」，「因中國認為在以矽為主的第1代半導體、在通訊、光纖例如砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）的第2代半導體也落後國際，企圖在化合物半導體急起直追」。
吳志毅認為，5G通訊、電動車、綠能與電廠都需要化合物半導體，需求量不見得很大，但卻是不可或缺的材料與元件，也是重要的戰略元件，台灣一定要發展，台灣半導體產業鏈完整，應具有發展的競爭優勢。
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