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台積電等大廠近日在論壇提及對第3代半導體的看法，以及氮化鎵製程技術。（法新社資料照）
〔財經頻道／綜合報導〕2021年國際半導體展SEMICON Taiwan線上論壇近日率先起跑，摩根士丹利（Morgan Stanley，大摩）表示，在功率暨光電半導體論壇中，各企業分別提及對第3代半導體的看法，包括整體潛在市場（ TAM）、採用率、關鍵應用、生產瓶頸、矽原料價差以及如何降低生產成本。
台積電在論壇中表示，長期發展的氮化鎵（GaN）製程技術已經開始獲市場接受，預計在未來10年內，將擴大到更多方面應用。台積電也提到，目前正研究用於射頻（RF）的矽基氮化鎵技術和功率器件應用。
聯華電子指出，氮化鎵功率器件潛在市場到2026年將觸及11億美金，暗示年複合成長率（CAGR）將達70％。到2026年消費型電子預計是應用相關技術的主要產業，預計為61％；CAGR達69％，其次是電信的20％和汽車業的14％。
大摩報告表示，氮化鎵與矽原料相比性能更好，相關功率電子器件的研究已長達10年。而產量可靠性、一致性、額外的系統組件和成本結構，仍然是影響大量生產的關鍵因素。
德國半導體設備廠愛思強（Aixtron）提到，隨著第3代半導體開發， 將需要更多「有機金屬化學氣相沉積設備（MOCVD）磊晶設備」。愛思強認為要實現低EPI成本，同時讓消費市場的氮化鎵／碳化矽滲透率提升，意味著降低成本變得相當重要。
全球氮化鎵功率IC的指標公司納微半導體（Navitas）預計到2026年，氮化鎵滲透率將從去年的0.3％大幅提升到16％。並認為，氮化鎵IC將取代大部分80到1000V 和10W到100kW的傳統矽基功率半導體市場。
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